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一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路
所属分类：技术论文
上传者：aet
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文档介绍：提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。基于TSMC 0.35 μｍ CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明，在3.3 V供电电压下，输出基准电压为1.225 4 V，温度系数为2.91×10-6V/℃，低频的电源抑制比高达96 dB，启动时间为7 μs。
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