微波射频相关文章 串联电感的作用及解决方案 电感为什么在低频时要把并联改为串联？从感抗与电阻的比值来分析Q值，不容易找到答案，并改串应该是不能提高Q值的。 发表于：9/26/2010 基于EPG3231和闪存的声音播放器设计方案 提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量NAND FLASH存储器的方法。与一般方法相比，编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范，只要按照NAND FLASH的读、写、擦除等时序对其进行操作，把NANDFLASH当成NOR FLASH或SRAM来对待，这样存储器的物理地址对程序员而言是透明的，只需要在遇到坏块(BAD BLOCK)时跳过该块就可以了。该方法降低了使用NAND FLASH存储器的难度和成本，且不仅适用于EPG3231，也可以推广到一般的8位单片机系统中使用。 发表于：9/26/2010 片外FIash存储器IAP的n种方案 针对嵌入式应用系统片外Flash存储器IAP无现成方案的问题，介绍一种基于代码重入思想的片外存储器IAP解决方案。结合LPC2210及SST39VFl60芯片，简介两款芯片特点，给出应用连接框图；分析IAP实现要点，并给出IAP的实现代码。 发表于：9/25/2010 Vishay推出业界首款采用紧凑0805封装的0.5W检流电阻 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 9 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP0805。该器件是业界首款采用紧凑的0805封装的0.5W检流电阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范围，高温性能高达+170℃。 发表于：9/25/2010 人体接近传感器在ATM监控中的运用 人体接近传感器又称无触点接近传感器，是理想的电子开关量传感器。它广泛地应用于机床、冶金、化工、轻纺和印刷等行业。在自动控制系统中可作为限位、计数、定位控制和自动保护环节。接近传感器具有使用寿命长、工作可靠、重复定位精度高、无机械磨损、无火花、无噪音、抗振能力强等特点。 发表于：9/25/2010 Vishay发布业界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高纹波电流的表面贴装铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 9 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款具有0.035Ω的超低阻抗和1.75A的高纹波电流的表面贴装铝电容器 --- 146 CTI，低阻抗和高纹波电流能够实现更好的滤波和更高的可靠性。该器件同时满足严格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接标准的苛刻回流焊条件，使加工更加灵活。 发表于：9/21/2010 物联网传感器芯片3年后30%国产化 近日，中国传感产业研究中心主任张小飞在2010第五届粤港射频识别(RFID)技术应用高峰论坛上表示，作为构成物联网的基础单元，目前国内传感器芯片90%靠进口。未来几年主要靠进口的局面尚不能扭转，但3年后国产芯片占有率可达30%。 发表于：9/20/2010 DRAM恐续跌20%，DRAM厂Q4营运爆发落空 根据DRAMeXchange调查，9月上旬合约价持续下跌，DDR3 2GB模块合约均价从40美元下跌至36美元，跌幅达10%，为一年来单次最大跌幅，DDR2模块合约价亦受到DDR3影响，下跌约2.8%，来到35美元价位。 发表于：9/17/2010 瑞萨电子推出3款新型功率MOSFET产品 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET（金属氧化物半导体晶体管）产品——RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。 发表于：9/17/2010 高精度低成本车用超声波传感器的研制 本文介绍了利用超声波传感器实现无接触式测距。系统由AT89C2051 单片机、超声波电路、环境温度电路及显示电路组成。该测距仪具有高精度（±1mm）、低成本的特点。 发表于：9/16/2010 飞思卡尔Xtrinsic加速计延长消费电子器件的电池使用寿命 2010年9月14日，东京（飞思卡尔技术论坛）讯－据iSuppli公司报道，由于动作手机、游戏控制器和数码相机销售出现强劲势头，预计2010年全球MEMS市场将会增长11%。大部分此类设备将动作感应技术用于以下功能，如图像稳定、拍打控制、防盗和方向检测。 随着市场对下一代应用（如直观的用户界面和基于位置的服务）的需求在不断增长，在精度和电池使用寿命方面占据优势显得至关重要。 发表于：9/16/2010 IR 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。 发表于：9/15/2010 连接器市场迎来上升期 由于消费电子、汽车电子、物联网市场的快速增长以及全球连接器生产能力不断向亚洲及中国转移，亚洲已成为连接器市场最有发展潜力的地方，而中国预计成为全球连接器增长最快和容量最大的市场。 发表于：9/14/2010 国内传感器产业增长31%却缘何陷入死循环 据中国电子信息产业发展研究院微电子研究所预测，今年中国传感器市场销量将达到905亿元。未来五年，国内传感器市场平均销售增长率将达31%。 发表于：9/9/2010 NAND Flash跌价深 上游大厂对模块厂让步 NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰，对于价格仍是相当强硬，显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。 发表于：9/8/2010 «…158159160161162163164165166167…»
