微波射频相关文章 Spansion公司发布2010年第二财季报告 2010年7月23日，中国上海——全球领先的闪存解决方案供应商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天发布截止至2010年6月27日第二财季的运营情况。由于公司重组后实行的新会计计量产生的影响，Spansion公司同时提供GAAP和非GAAP结果。公司美国GAAP净销售额为2.557亿美元，经营亏损300万美元，净收入为3.418亿美元。公司美国非GAAP调整后净销售额2.927亿美元，调整后运营收入4030万美元，调整后净收入为2740万美元。 发表于：7/23/2010 Vishay推出新款PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管 器件具有紧凑的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光谱带宽，采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式封装 发表于：7/22/2010 飞兆半导体150V低RDS(ON) MOSFET在隔离DC-DC应用中实现更高性能 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。 发表于：7/22/2010 Vishay推出使用寿命长达10000小时的新系列牛角式功率铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形，电压等级从350V至450V，在85℃下的使用寿命长达10,000小时。 发表于：7/21/2010 将MEMS传感器用于各种创新的消费类产品设计 MEMS即微机电系统，是利用微米级立体结构实现感应和执行功能的一项关键技术。其中，微米级立体结构是利用被称为“微加工”的特殊工艺实现的微米大小的立体机械结构。 发表于：7/21/2010 先栅极还是后栅极 业界争论高K技术 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first（先栅极）工艺流派和以Intel为代表的Gate-last（后栅极）工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制 PMOS管的Vt电压(门限电压);而Gate-last工艺的难点则在于工艺较复杂，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-first工艺低，需要设 计方积极配合修改电路设计才可以达到与Gate-first工艺相同的管芯密度级别。 发表于：7/21/2010 Vishay推出业界首类具有75V电压等级的固钽贴片电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D，增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能，扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。 发表于：7/20/2010 SD协会为 SDXC和SDHC内存卡以及设备定义新的高速性能选择 近日，SD 协会宣布针对速度最快的 SDXC 和 SDHC 设备以及内存卡推出两个全新的高速性能符号。第一个符号是用来表示总线界面速度每秒高达 104 MB、可提高设备性能的产品。第二个符号是用来表示具备允许实时视频录制的性能选项之 SD 内存卡和产品。 发表于：7/20/2010 Diodes全新小巧晶体管实现小型化产品设计 Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 发表于：7/19/2010 NOR Flash产业版图酝酿大挪移 台厂大举扩产 2010年存储器市场最夯产品非NOR Flash莫属，从年初开始供货吃紧且价格一路飞涨，尽管各家NOR Flash厂对于第3季价格都是持续看涨，但产业供需结构却是暗潮汹涌，其中，旺宏与华邦大举扩充12寸厂产能，飞索(Spansion)脱离破产保护而获得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新营运策略出炉，其亚洲独家代理商倍微对于抢回低容量NOR Flash市场龙头信誓旦旦，都让2010年NOR Flash产业版图呈现即将大幅变动的氛围。 发表于：7/19/2010 半导体材料市场反弹至创新的记录 根据SEMI于SEMICON West上最新的数据报道，由于IC出货量的持续增加，导致半导体材料用量己经回到近08年水平，但是预期2011年的增速减缓。 发表于：7/19/2010 28nm节点将引发全球代工攻坚战 按Gartner副总裁Dean Freeman看法，能进行先进制程设计的fabless公司目前正处于极好时光。因为Freeman看到顶级代工厂正义无反顾的向40及28nm进军，同时为争夺更大的市场份额，而使硅片代工的价格迅速下降。 发表于：7/16/2010 使用压电薄膜传感器作为加速度计 加速度计可以用在仪表中，测量加速度(速度对时间的变化率)和测量倾斜度(物体的纵轴和与地球表面相切的平面的垂线之间形成的倾角)。倾斜度测量可以被看成“直流”或稳态测量。在理论上，加速度可以是稳态的，但在实际应用当中，加速度通常是一个短期的暂时现象。 发表于：7/15/2010 Vishay Siliconix 推出三款新型500V N沟道功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。 发表于：7/14/2010 DRAM厂制程转换不顺 新产能变数多 近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。 发表于：7/14/2010 «…163164165166167168169170171172…»
