中文引用格式： 马战刚，冯思润，季冠嵩，等. 基于3D-SIP模组的高隔离屏蔽罩设计[J]. 电子技术应用，2026，52(8)：114-118.
英文引用格式： Ma Zhangang，Feng Sirun，Ji Guansong，et al. Design of high-isolation shielding cover based on 3D-SiP module[J]. Application of Electronic Technique，2026，52(8)：114-118.
引言
在5G毫米波通信、高精度射频探测及高速集成电路技术快速发展的驱动下，电子设备逐步向高频化、小型化、高密度集成方向快速发展。3D-SiP三维系统级封装凭借异质集成、多层堆叠、垂直互联的技术优势，有效突破了传统封装的尺寸与带宽局限，广泛应用于航空航天、军用射频、民用高频通信等核心领域[1-3]。但极高的集成度与高频工作特性，使得封装内部器件间距大幅缩小、布线密度激增，极易引发电磁耦合、通道串扰、本振泄漏及高频自激振荡等干扰问题，严重影响系统信号完整性与电磁兼容性能，制约射频微系统的工作稳定性与探测通信精度[4-6]。
多通道射频3D-SiP内部器件排布密集，高频工作下的电磁辐射与交叉耦合问题尤为突出，通道串扰会造成信号畸变、信噪比下降，本振泄漏与自激干扰会进一步恶化系统性能，极端情况下会引发设备功能失效，是现阶段高频高密度SiP技术工程应用的主要瓶颈[7-9]。目前，国内外主流屏蔽方案以TSV屏蔽阵列、嵌入式沟槽屏蔽、新型屏蔽涂层及接地优化为主，但传统结构存在高频屏蔽效能衰减、工艺成本高、量产适配性差等缺陷，且现有研究多聚焦单一屏蔽结构优化，难以解决多干扰耦合下的复杂电磁问题[10-15]。
针对上述技术痛点，本文以毫米波多通道射频3D-SiP系统为研究对象，聚焦通道串扰、电磁耦合等核心干扰问题，设计一款新型复合电磁屏蔽结构。通过全波电磁仿真完成结构建模与参数优化，验证其高频屏蔽与隔离性能，有效弥补传统屏蔽技术的不足，为高密度3D-SiP射频微系统的电磁兼容设计与工程应用提供可靠的技术参考。
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作者信息：
马战刚1，冯思润1，季冠嵩1，王鑫2，牛海君1
（1.中国电子科技集团公司第十三研究所，河北 石家庄 050000；
2.中国人民解放军93160部队，河北 石家庄 050000）
