内容简介：针对反熔丝OTP存储器在不同工作模式下的电压需求，基于SMIC 28 nm CMOS工艺，提出了一种Cascode结构的Level Shifter单元及分块供电设计。实现了OTP存储器在编程和读取模式下WL/PL和BL端电压的快速切换，使得Level Shifter单元翻转延时小于2 ns，分块供电设计降低了电容的寄生效应对OTP存储器读取阈值的影响，保证了OTP存储器编程和读取功能正常。