工业自动化最新文章 仿生手成机器人最大难题 5万亿美元市场待解锁 10 月 27 日消息，人类最复杂的生物机械 —— 手，至今仍是机器人领域最具挑战性的未解难题。如果工程师能够攻克这一难关，如今在实验室中逐渐成形的机器人，或许很快就会成为未来工厂车间里的寻常景象。 发表于：10/27/2025 我国首个EUV光刻胶标准拟立项 国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。 发表于：10/27/2025 特斯拉人形机器人再延期 10月24日消息，早在2018年特斯拉就展示了Optimus人形机器人，虽然目前已迭代至第三代，但因为技术原因，仍迟迟无法正式定型发布并量产。 发表于：10/27/2025 北大团队成功改进光刻胶缺点 提升7nm及以下先进制程良率 10月26日消息，据国内媒体报道称，我国芯片领域取得新突破，具体来说是在光刻胶领域。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然通讯》。 发表于：10/27/2025 Intel 14A工艺冲击代工 客户初步反馈令人鼓舞 10月26日消息，Intel原本计划在18A工艺节点大力发展外部代工，但进展非常不乐观，不得不改为内部使用，转而发展14A代工。 发表于：10/27/2025 台积电再向海外转移先进工艺 台积电确认将在日本熊本县建设第二座晶圆厂，预计2027年运营，建筑面积6.9万平方英尺，可新增1700余岗位，与一厂合计雇约3400人。新厂直接导入6nm工艺，用于自动驾驶、AI等高端应用，把日本本土芯片制造水平从28nm提升两三代，投资额139亿美元；两厂总计225亿美元，日本经产省补贴1.2万亿日元。 发表于：10/27/2025 三星2nm工艺良率被指仅有30% 10月26日消息，台积电今年底量产2nm工艺，Intel的18A工艺也一样是今年底量产，三星更是很早就宣布了2nm工艺量产的消息，然而问题还是很多。 发表于：10/27/2025 意法半导体Q3业绩爆雷净利下滑23.9% 当地时间10月23日，意法半导体(STMicroelectronics NV，简称“ST”)公布了截至 2025 年 9 月 27 日的第三季度财报，由于业绩不及预期，导致意法半导体股价暴跌13.26%。模拟、功率和分立器件、MEMS 和传感器 (APMS) 产品组： 发表于：10/27/2025 应用材料公司宣布裁员4% 影响超1400名员工 美国芯片设备制造商应用材料(228.47, 7.91, 3.59%)公司宣布将裁员4%。该公司在一份文件中表示，已于周四开始通知全球“所有级别和团队”的受影响员工。应用材料公司为包括半导体行业在内的行业提供设备、服务和软件。根据2025年8月的一份文件，该公司拥有大约36100名全职员工。4%的裁员将代表约1444名员工。 发表于：10/24/2025 迈向智造新纪元：第106届中国电子展实装示范线全线就绪 第106届中国电子展将于2025年11月5日至7日在上海新国际博览中心N5、N4馆隆重举办。展会现场将汇聚国内顶尖智能装备与软件企业，重点以实时组装演示为核心，生动呈现“电子智能制造工厂（实装）示范线”。该产线全景式演绎从PCB上料到成品产出的全流程自动化、数字化与智能化作业，标志着中国电子智能制造解决方案已迈入高效协同、自主可控的新阶段，为行业转型升级打造了具备高度参考价值的“样板工程”。 发表于：10/24/2025 三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代 10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要在闪存芯片上首发3D晶体管技术了。 发表于：10/24/2025 台积电自研EUV光罩保护膜 推迟导入High-NA EUV光刻机 10月22日消息，光罩大厂Tekscend Photomask（科盛德光罩）近日于日本东京证交所挂牌上市，募资规模达1,566亿元日元。而随着Tekscend Photomask的上市，象征着半导体产业前进至埃米制程，扮演最前端制程的光罩重要性大大增加。供应链指出，光罩好比芯片制作的底片，光罩受污染会导致无法提升最终良率。因此，台积电自研光罩保护膜（Pellicle），主要因为2nm以下光罩开发成本昂贵，制程须加上防止灰尘与颗粒的护膜，做为关键防护作用。显示台积电维持采购标准EUV光刻机生产A14、A10制程。 发表于：10/24/2025 三星宣布计划将FinFET制程导入NAND Flash 10月23日消息，三星电子在SEDEX 2025上宣布，计划将鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术应用于NAND Flash闪存生产上。这一举动被解读为三星为应对人工智能（AI）芯片对更大容量NAND Flash闪存的需求所做的准备。不过，这是一项技术属于未来技术，实际应用仍需时间。 发表于：10/24/2025 全球首颗！德氪微发布超高耐压毫米波隔离驱动芯片DKV56系列 今日，德氪微电子正式发布全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片——DKV56系列。作为新一代高性能隔离式IGBT、MOSFET、SiC栅极驱动芯片，DKV56系列集成德氪微MillConnex®毫米波无线隔离技术，在“高耐压、高CMTI、高集成、低延时”四个关键指标实现突破，为AI数据中心、工业自动化、新能源与储能系统、新能源汽车、电力电子及高性能电机控制等领域带来更安全、更高效的电源系统解决方案。目前，该芯片已进入量产阶段。 发表于：10/24/2025 安谋科技“星辰”STAR-MC3发布 日前，安谋科技Arm China发布“星辰”STAR-MC3 CPU IP解析长图，清晰展现了该产品的五大亮点、核心应用领域与“星辰”CPU IP系列产品图谱。 发表于：10/23/2025 «…9101112131415161718…»
