工业自动化最新文章 部分半导体设备制造商已启动2029年供应谈判 11 月 4 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间昨日报道称，全球五大半导体设备制造商（ASML、Applied Materials、Lam Research、TEL、KLA）已进入 2028 年设备供应合同的最终敲定阶段。 发表于：2026/11/5 全球第二大光刻胶制造商易主 11 月 4 日消息，《日经新闻》当地时间今日报道称，三井化学 (Mitsui Chemicals) 计划以超过 1.3 万亿日元（注：现汇率约合 548.16 亿元人民币）的价格收购全球第二大光刻胶制造商 JSR。 发表于：2026/11/5 SEMI：全球硅晶圆出货量2026Q3同比增长13.4% 11 月 5 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）旗下硅制造商组织 (SMG) 当地时间 4 日指出，全球硅晶圆出货量在 2026 年第 3 季度达到 37.56 亿平方英寸（注：约 242.3 万平方米）。 发表于：2026/11/5 晶圆代工大厂力积电的母公司力晶投控曝内斗 11月4日消息，晶圆代工大厂力积电的母公司力晶投控，正陷入一场由小股东发起的股权争夺战。11月2日，力晶投控正式向台北检方提告，指控部分股东发起的“组团卖股”行为涉嫌违反公开收购规定，并质疑背后资金来源不明。 发表于：2026/11/5 2026具身智能场景验证版图：六大核心赛道模型能力多维盘点 本文基于行业公开数据、企业披露信息与第三方权威报告，按六大场景梳理具身大模型的验证进展，解析各家企业的模型路线与商业化成色。 发表于：2026/11/4 低成本智能小车控制感知预测多路径通信方法 为解决低成本智能小车本地控制与高动态通信难以协同、路径频繁切换的问题，该方法构建了车载控制、外接通信和路侧边缘计算三层架构，提出控制感知风险最小化预测多路径的方法(CARMPM)；综合路径当前与预测可靠性、寿命、时延、跳数、业务类型和切换代价评分，并采用业务分级滞回。结果表明：在3种车辆密度、4种策略和15个固定随机种子的轻量级仿真中，与反应式策略相比，路径切换次数降低76.9%～89.2%，投递率差值为-0.55～0.01个百分点，平均时延增加4.16～4.57 ms。该方法可在基本保持通信可靠性的同时抑制路径抖动，为低成本智能小车的车路协同与硬件在环验证提供分层方案。需要明确的是，该文中的绝对投递率是抽象链路模型的内部指标，不代表实际道路VANET性能。 发表于：2026/11/4 2026工控机横评：AGV定制与产线改造选型 本文围绕嵌入式工控机定制与产线改造工控机靠谱两条主线，给出五维横评与选型参考。 发表于：2026/11/4 3C冲压件怎么测？基恩士蓝光三维扫描仪VL-800非接触三维扫描方案 其价值恰恰在于将“全尺寸形貌数据”与“产线级操作效率”结合，让首件测量不再只是判定“合格与否”，而是成为调模NA（尺寸偏差修正）的直接依据。 发表于：2026/11/4 AI随身WiFi选哪个品牌？三证、大模型来源、语音管网三查 AI随身WiFi选哪个品牌？三证、大模型来源、语音管网三查 发表于：2026/11/4 SiC深沟槽ICP刻蚀轮廓质量协同调控与工艺适配研究 为解决SiC深沟槽ICP刻蚀中刻蚀速率、侧壁角、选择比及片内一致性难以协同优化的问题，该文基于常规沟槽、超结结构及贴假片样片的截面SEM结果与同批次工艺记录，建立轮廓质量协同评价体系。结果表明，O2比例由6%增至12%时，侧壁角由82.5°提高至85.8°，选择比由5.2提高至7.2，中心-边缘差异由12%降至7%；SF6流量由30 cm3/min增至80 cm3/min时，刻蚀速率由0.18 μm/min提高至0.32 μm/min，选择比由7.5降至5.1。对88 mTorr、200 mTorr、300 mTorr和400 mTorr四组压力（1 mTorr≈0.133 Pa）进行比较后发现，200～300 mTorr能够在刻蚀速率、选择比与底部形貌之间取得较好平衡，其中200 mTorr未观察到底部残留，300 mTorr仅出现轻微残留，而400 mTorr出现明显残留。超结沟槽对底部残留、有效选择比和回填适配性更为敏感，贴假片工况会增大中心-边缘差异并降低侧壁质量。基于上述规律形成的工艺窗口重构方法可用于同一设备平台、相近掩膜体系和相似图形尺度下的工艺迁移与参数补偿。 发表于：2026/11/4 面向SiC驱动的高PSRR LDO设计 针对新能源汽车SiC MOSFET栅极驱动芯片易受母线噪声干扰、基准漂移引发米勒振荡与器件误触发问题，该文设计了一款可片上集成的高PSRR LDO。相较于传统三级放大单密勒补偿LDO，该文提出三项适配车载宽压场景的优化方案：采用RC多阶滤波偏置阵列抑制低频电源扰动；采用带缓冲级隔离的密勒复合补偿缓解高频PSRR衰减；采用分区隔离版图并集成片上SET(SoftStart+Enable)保护模块，以抑制片内噪声串扰。基于180 nm CMOS工艺完成电路设计、仿真与版图设计。仿真表明，输入2.84~5.0 V时稳定输出1.8 V，线性调整率2.03 mV/V，负载调整率38 μV/mA；低频PSRR区间为-150~-330 dB，1 kHz处PSRR达-160 dB，全频域抗扰性能优于同工艺同类电路，可满足SiC驱动内部精密电路低噪声供电需求。 发表于：2026/11/4 全球2026Q3半导体销售额5177亿美元 11 月 4 日消息，美国半导体行业协会 (SIA) 当地时间 3 日表示，根据世界半导体贸易统计组织 (WSTS) 编制的数据，全球半导体销售额在 2026 年第 3 季度达到 5,177 亿美元（注：现汇率约合 3.46 万亿元人民币），环比增长 24.1%。 发表于：2026/11/4 三星抢先台积电拿到AMD HBM基础裸片订单 11月4日消息，据报道，三星晶圆代工业务终于拿下一项关键订单：AMD已确定将下一代HBM基础裸片交由三星位于美国得州的泰勒第二座晶圆厂生产。 发表于：2026/11/4 SK海力士450亿美元纽约建厂计划遇阻 北京时间11月4日，据路透社报道，知情人士透露，美国官员推迟批准SK海力士在中国扩大生产所需的芯片制造设备出口许可，使得该芯片制造商在纽约建设新存储芯片工厂的计划变得更加复杂。 发表于：2026/11/4 国内光模块头部厂商光迅科技否认物料短缺生产停工相关传闻 11 月 3 日晚，国内光模块头部厂商光迅科技发布“关于市场传闻的澄清公告”。 发表于：2026/11/4 <12345678910…>
