工业自动化最新文章 基于多源数据融合的EHI模型构建与实时诊断技术 针对炼化设备传统维护策略存在“过修”或“失修”问题，构建了基于多源数据融合的设备健康度指数（Equipment Health Index，EHI）模型。该模型整合缺陷、报警、维修等多维数据，利用深度神经网络进行非线性融合与实时评估。工程验证表明，该技术能精准量化设备健康状态，比传统方法具有更高的评估准确率与预警提前量，为智能运维提供了有效支撑。 发表于：2026/6/17 消息称三星目标2030年实现无人晶圆厂 6 月 17 日消息，韩媒 ET News 昨日（6 月 16 日）发布博文，报道称三星为了削弱罢工施加的谈判筹码，宣布通过数据共享生态平台（DSEP），目标到 2030 年实现无人晶圆厂。 发表于：2026/6/17 全球最强芯片散热技术诞生 极端发热控温100℃内 6月16日消息，据报道，韩国科学技术院（KAIST）科研团队成功研发出芯片内置超高效液冷散热技术。该技术在2000W/cm²的极端发热工况下，仍可将芯片核心温度控制在100℃以内，制冷性能系数（COP）达到106000，是2020年《自然》期刊刊载的全球最佳纪录（约10000）的十倍，且仅需传统顶尖散热方案1/10的泵送功耗。 发表于：2026/6/17 玻璃基板进入产业化验证 台积电首次公开技术进度 6月16日消息，眼看着英特尔、三星等竞争对手争相入局加码玻璃基板，台积电明显加快了推动自家技术产业化落地的步伐。 发表于：2026/6/17 英特尔风险试产18A-P工艺 同性能功耗降低18% 英特尔风险试产 18A-P 工艺：同性能功耗降低 18%、同功耗性能提升 9% 发表于：2026/6/17 台积电当前仍以CoPoS为首要重点 6月16日消息，据韩国媒体ETnews报道，为应对激增的人工智能（AI）半导体需求，台积电正积极布局面板级封装（Panel Level Packaging，PLP）技术，最快将于2027年启动大规模量产，准备与在英特尔、三星电子等展开技术标准与市场主导权的争夺。 发表于：2026/6/17 抢占1.4nm节点先机 Intel 14A良率已达40% 6月16日消息，前不久Intel官方发布CEO陈立武上任一年的成绩，其中就提到18A工艺多产品大规模量产，14A工艺开发如期进行，显示他们在先进工艺上终于能稳了。 发表于：2026/6/17 英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热H-DPAK 【2026 年 6 月 16 日，德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥（HB）器件。 发表于：2026/6/16 Vicor即将携48V高性能电源解决方案亮相2026慕尼黑上海电子展 高性能电源模块领导者Vicor 将携其前沿的 48V 高性能电源解决方案亮相2026慕尼黑上海电子展。展会期间，Vicor将展示其一流的高性能电源模块和48V解决方案以满足汽车电子、高性能计算及工业等领域的需求。 发表于：2026/6/16 中科曙光发布新一代通用高性能计算平台 6月15日，中科曙光发布新一代通用高性能计算平台。该平台以国产百核级通用CPU为核心，通过“算存网”全栈协同优化，整体规格首次达到国际厂商旗舰级水平，实现了国产通用计算性能的历史性突破。 发表于：2026/6/16 面向AMS、RFIC与Multi-Die设计的EDA平台能力对比 快仿工具不能只看速度，精度一致性、模型兼容性、验证闭环完整性同样关键。一个仿真速度快但在后仿真环节出现模型失配的工具，反而会拖长整体收敛周期。 发表于：2026/6/16 Manz亚智科技成功交付全球首台310mm × 310mm面板级封装ECD量产设备 全新ECD平台可灵活支援玻璃与金属方形载具，并整合重布线层（RDL）关键湿制程技术，提供应用于FOPLP、CoPoS、TGV等先进封装架构的量产解决方案。 发表于：2026/6/16 压力扫描阀系统在风洞中的应用 为了研究3种典型压力扫描阀系统在风洞环境中的应用特性并为相关试验提供技术支撑，采用系统性研究与对比分析的方法，做了基于PSI 9116电子压力扫描阀、DTC Initium多参数数据采集系统、Optimus智能测控系统的风洞试验，同时开发了高速风洞通用测力测压软件平台、建立了风洞试验性能评估体系以验证系统精度，得到了3种系统的量化性能对比结果，为风洞试验设备选型提供了科学依据。 发表于：2026/6/15 基于光学干涉模型的碳化硅外延层厚度测量研究 碳化硅外延层厚度的精确测量是半导体器件制备的关键，基于2025年全国大学生数学建模竞赛B题实测数据开展研究。首先，采用Savitzky-Golay平滑滤波、波长窗口函数与Huber Loss鲁棒损失函数，预处理原始数据中的高频噪声、基线漂移及异常值。其次，构建双光束干涉模型，结合Sellmeier色散方程等推导厚度与相关参数的定量关系，通过快速傅里叶变换初估、非线性最小二乘迭代优化及逆方差加权平均实现高精度反演，经回灌检验验证有效性。再次，建立多光束干涉模型，基于传输矩阵法反演厚度，提出振荡成分提取与基线恢复校正方法降低干扰。 发表于：2026/6/15 大客户需求日益增大 台积电2nm正大举扩充产能 6月14日消息，据台媒《经济日报》报道，台积电2nm家族正大举扩充产能，预计到2029年月产能将会提高到数十万片，足以应对苹果、AMD、英伟达、博通、高通等大客户的需求。 发表于：2026/6/15 <12345678910…>
