EDA与制造相关文章 三星计划2024Q3量产8层HBM3E产品 8 月 1 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）报道，在 2024 年第 2 季度财报电话会议上，三星公司高管公布：“第五代 8 层 HBM3E 产品目前已交付客户评估，计划 2024 年第 3 季度开始量产”。 发表于：8/1/2024 消息称美国8月将升级对华半导体限制 传美国将升级对华半导体限制：120个中国实体将被禁，涉及晶圆厂、设备商、EDA厂商！ 发表于：8/1/2024 美国推迟对中国电动汽车等产品加征关税 8 月 1 日消息，美国计划对中国进口电动汽车征收 100% 关税的政策不仅浇灭了极氪、比亚迪等中国车企进军美国市场的热情，也给美国本土汽车制造商带来了不小的麻烦，原本计划于 2025 年和 2026 年进入美国市场的别克 Electra E5 和 E4 车型因关税问题被迫搁置。 发表于：8/1/2024 美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术 美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！ 发表于：8/1/2024 二季度开始Intel每月为NVIDIA生产5000块晶圆 Intel从二季度开始，每月可为NVIDIA生产5000块晶圆 发表于：8/1/2024 消息称三星电子V9 QLC NAND闪存尚未获量产就绪许可 7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。 三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。 然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。 明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。 发表于：8/1/2024 消息指SK海力士400+层闪存明年末量产就绪 消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪 发表于：8/1/2024 消息称英特尔挖角台积电工程师 消息称英特尔挖角台积电工程师，芯片代工竞争加剧 发表于：7/31/2024 英特尔俄亥俄州两座晶圆厂投资额提升至280亿美元 英特尔宣布将俄亥俄州两座晶圆厂投资额提升至280亿美元！ 发表于：7/31/2024 工信部发布2024新版工业机器人行业规范条件和管理实施办法 工信部发布 2024 新版工业机器人行业规范条件和管理实施办法，8 月起实施 发表于：7/31/2024 传美光GDDR6X模块质量问题影响英伟达RTX 40出货 传美光GDDR6X模块质量问题影响英伟达RTX 40出货 发表于：7/31/2024 Alphawave推出业界首款支持台积电CoWoS封装的3nm UCIe IP Alphawave推出业界首款支持台积电CoWoS封装的3nm UCIe IP 发表于：7/31/2024 消息指台积电最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技术 消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术 发表于：7/30/2024 SK海力士推出全球最高性能GDDR7 SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7，相比上代运行速度提升 60% 发表于：7/30/2024 欧盟建晶圆厂补贴进展缓慢 英特尔和台积电已经根据美国《芯片与科学法案》分别获得85亿美元和66亿美元的巨额补贴，用于在美国国内建晶圆厂。与此同时，旨在支持欧洲半导体产业的《欧洲芯片法案》却动作迟缓，至今英特尔和台积电的欧洲建厂补贴均未获批。 邀请英特尔和台积电投资的德国因欧盟委员会的犹豫不决而面临延误。尽管德国已为英特尔拨款100亿欧元，为台积电拨款50亿欧元，但仍有待欧盟最终批准。德国官员警告称，如果得不到及时批准，英特尔2024年底开工的计划可能会受到威胁。 欧盟缓慢的审批程序与美国《芯片法案》形成鲜明对比，后者自2024年初以来迅速拨付补贴。这种欧洲官僚主义的拖延招致批评，德国智库Interface的专家认为，由于建设延误和挫折，欧盟在2030年前实现其半导体市场份额20%的目标已经越来越难以实现。 发表于：7/30/2024 «…121122123124125126127128129130…»
