Ookla最新调研：5G网络三重短板难以承载高品质AI服务

7月8日 当下生成式 AI、AR 智能终端迎来爆发式增长，但全球 5G 网络在带宽、时延、云网协同层面普遍存在短板。测速机构 Ookla 最新调研指出，运营商即便砸重金改造网络，也未必能等来可持续盈利的 AI 商用市场，行业投入回报存在巨大不确定性。

发表于：2026/7/9 上午10:03:59

长鑫优先供应中国安卓手机内存 占比很快达50%

7月9日消息，苹果若敲定搭载长鑫存储的内存产品，核心诉求大概率并非大规模替换现有核心供应链，而是将其作为谈判筹码倒逼三星等国际存储巨头下调内存供货价，压缩自身硬件采购成本。即便苹果后续有意导入长鑫内存，短时间内也难以顺利拿到供货，需跨过两道现实门槛：一是相关供货规则需征得美国监管部门同意，二是长鑫当前产能优先向国内本土品牌订单倾斜，暂无多余产能供给海外厂商。2025年第二季度到2026年第一季度，长鑫科技在全球DRAM市场的占比从3.97%升至8%，全产品线布局已完成，实现DRAM全链路自主可控，不含华为的安卓品牌手机阵营中长鑫内存采用比例已突破30%，其量产的LPDDR5X产品规格已追平国际主流厂商同档位产品。

发表于：2026/7/9 上午9:53:03

中国是ASML第一大市场 荷兰大臣访华力保DUV光刻机出口

7月8日消息，公开资料显示，荷兰光刻机巨头ASML 2025年全年净销售额达327亿欧元，中国市场贡献33%营收稳居全球首位。

发表于：2026/7/9 上午9:52:11

谷歌Tensor G6全球首发台积电2nm工艺制程

7月8日，谷歌宣布将于8月12日正式发布年度旗舰Pixel 11系列，该机将首发搭载自研芯片Tensor G6，谷歌也将成为全球首家发布台积电2nm工艺芯片的手机厂商，较苹果、高通和联发科早约一个月。Tensor G6首发台积电第一代2nm制程N2，该工艺是台积电首个采用全环绕栅极纳米片晶体管的技术，相较N3E工艺在性能、功耗控制、晶体管密度方面均有提升。目前台积电2nm晶圆每片报价接近3万美元，相比3nm工艺上涨约50%至66%，叠加内存价格持续攀升，受双重成本冲击，Pixel 11系列价格预计将上涨，业界预测下半年直板旗舰手机定价很可能突破万元大关，相关成本压力将传导至消费者端。

发表于：2026/7/9 上午9:43:34

告别英伟达 中企AI芯片预算国产占比飙至46%

7月8日消息，彭博行业研究发布的最新调查报告显示，中国企业正加速从英伟达AI加速器转向本土产品。在对60名中国软件、金融、制造和零售业高管的调查中，受访者预计未来12个月将把46%的AI加速器预算投向国产芯片，高于目前的30%。华为、海光成最大赢家

发表于：2026/7/9 上午9:39:22

台积电扩产光子集成电路 2028年月产能将达2.5万片晶圆

7月8日消息，据TrendForce，随着台积电在硅光子领域加速布局，其光子集成电路（PIC）晶圆产能预计将迎来显著扩张。

发表于：2026/7/9 上午9:37:58

工信部发布Claude Code风险提示 存在安全后门

7月8日消息，工业和信息化部下属的网络安全威胁和漏洞信息共享平台NVDB今日正式发布公开风险提示，明确指出海外AI编程工具Claude Code存在未公开的安全后门隐患，相关风险会直接威胁国内开发者的核心数据安全。

发表于：2026/7/9 上午9:33:36

自研架构及全国产工艺 沐曦GPU一卡难求

7月8日，沐曦相关负责人表示，市场同时存在AI算力一卡难求与部分算力过剩的情况，稀缺的是通用、易用、稳定可靠的算力，其公司部分产品订单已排至明年之后。沐曦主力MXC600芯片系列目前已大规模出货，该芯片为新一代AI训练推理旗舰芯片，全链路实现国产供应链，曾于5月26日通过相关机构安全可靠测评，配套产品可满足多类关键行业安全标准。沐曦下一代旗舰C700于2025年4月立项，目前核心设计、功能验证已大部分完成，后续将大幅提升多项核心性能。

发表于：2026/7/9 上午9:27:37

长鑫科技7月16日新股申购 募资295亿扩产晶圆

国内DRAM存储龙头长鑫科技将登陆科创板，据相关发行公告披露，其网上、网下申购统一安排在7月16日，公司证券代码688825，普通投资者网上申购代码为787825。本次发行总量66.88亿股，授予保荐机构最高15%超额配售选择权，全额行使后总发行量可达76.91亿股，整体募资规模295亿元，资金全部投向12英寸晶圆产线扩建、HBM高端存储芯片研发及配套产能建设。相关配套流程节点显示，7月13日开启网下初步询价，7月15日披露最终发行价格，申购完成后投资者需在7月20日收盘前完成足额缴款。长鑫科技是国内唯一实现DRAM芯片自主研发、制造一体化的IDM厂商，已完成DDR4、DDR5、LPDDR5全系列内存颗粒量产。

发表于：2026/7/9 上午9:22:43

铠侠和Sandisk发布332层3D NAND

近日，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）与Sandisk宣布，它们的第十代产品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本岩手县北上工厂的Fab2（K2）生产线正式投产。该产品主要面向数据中心等企业级储存应用，兼顾高密度与高性能，储存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400层3D NAND。

发表于：2026/7/9 上午9:21:06