罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。

发表于：2026/5/26 下午1:04:00

关键词：
罗姆
MOSFET
SiC
电源
AI服务器

IPS显示器哪个品牌好？2026年IPS显示器品牌全面推荐

进入2026年，快速液晶IPS技术的成熟使IPS面板的响应时间突破至0.5ms GTG级别，彻底消弭了与TN面板在电竞响应速度上的差距。与此同时，IPS面板在色域覆盖上的持续突破——95%乃至97% DCI-P3的普及——让它在专业创作领域的优势愈发不可替代。IPS显示器，正在成为兼顾电竞与专业的全能选择。

发表于：2026/5/26 下午1:00:45

关键词：
微星
IPS
显示器

主要NAND原厂2026年几无新增产能

5 月 25 日消息，机构 TrendForce（集邦）今日根据最新 NAND 闪存产业调查表示，主要 NAND 原厂今年几无新增产能。而由于 AI 需求持续强劲，因此 NAND 的供给短缺预计持续整个 2026 年。

发表于：2026/5/26 上午10:23:09

关键词：
NAND
闪存
供应链

欧盟Moore4Power计划启动 15国联手开发新一代功率芯片

5 月 25 日消息，德国半导体企业 Infineon（英飞凌）当地时间 20 日宣布启动由其担任协调方的欧盟 Moore4Power 计划，来自 15 个国家的 62 家参与方将联手开发更高效、更可靠、更易于产业化的新一代先进智能电力电子产品。

发表于：2026/5/26 上午10:17:37

关键词：
Moore4Power
英飞凌
功率芯片
欧盟
电力电子

国产芯片级主动散热方案曝光

5月25日消息，博主@数码闲聊站 今日爆料，为了配合先进国产工艺，芯片端同步在测试「MEMS主动散热风扇」，可以紧贴处理器的芯片级主动散热方案，相较传统内置风扇，厚度是毫米级，几乎无噪音，传导效率更高，技术同样会领先行业。

发表于：2026/5/26 上午10:08:20

关键词：
MEMS
散热
芯片级

继苹果之后 三星加快去高通化

5月25日消息，苹果计划将完全自主研发的5G基带芯片应用到iPhone 18全系机型当中，彻底结束多年来对高通基带产品的外部依赖。三星也在加快推进去高通化步伐，将于明年上半年发布Galaxy S27系列，延续分区域市场推出骁龙版本和Exynos版本的双芯并行策略，其搭载2nm工艺自研Exynos 2700的Exynos版本供货比例从上一代的25%提升至50%。受2nm晶圆制造成本飙升、DRAM存储价格上涨等因素影响，手机厂商利润空间被压缩，三星最终目标为全线Galaxy产品配备自研Exynos处理器，若落地将重构全球高端手机芯片市场现有竞争格局。

发表于：2026/5/26 上午9:56:43

关键词：
三星
高通
Exynos
苹果
5G基带

SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

5月26日，SK海力士发布名为iHBM的控温散热存储技术。该技术核心为新开发的冷却元件ICE，采用绝缘、高导热性硅基材料制成，不同于传统HBM产品依赖核心芯片向外导热的间接散热方式，iHBM将ICE直接嵌入发热最集中的D2D PHY区域构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，有效提升严苛环境下的产品运行稳定性。该技术采用已广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现规模化稳定量产，且兼容现有系统级封装环境，导入门槛较低。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算及AI数据中心等场景的散热管理需求。

发表于：2026/5/26 上午9:54:39

关键词：
SK海力士
iHBM
存储芯片
散热
晶圆级封装

美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

5月25日消息，据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。

发表于：2026/5/26 上午9:51:52

关键词：
美光
HBM4
存储芯片

华为韬定律从手机SoC杀入AI

5月25日，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波署名的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》已提交至中国科学院科技论文预发布平台，详细介绍韬（τ）定律。该定律是自登纳德缩放定律以来，首个在整个计算栈建立统一优化目标的缩放原理，不再将晶体管面积作为技术进步的核心衡量指标，转而以“时间”为核心，采用单一特征时间常数τ作为统一优化目标，覆盖跨越十二个数量级的整个计算体系。论文展示两个量产级别验证案例：移动SoC领域逻辑折叠技术可实现55%的晶体管密度提升、41%的能效增益，AI系统相关协同设计技术栈预计2035年实现超100倍硬件集成度增长，2030年前后韬定律将切入AI赛道，昇腾990将首次把逻辑折叠技术引入AI加速器领域。

发表于：2026/5/26 上午9:36:22

关键词：
华为
韬定律
SOC
晶体管
AI加速器

烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产

5月25日，烟山科技年产MicroLED新型显示器件项目在德清工厂正式投产，全球首条从外延到先进封装的8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线实现通线。该产线依托烟山科技自主研发的硅基氮化镓平台与混合集成工艺，实现全链路自主可控，具备光提取效率高、加工良率优、连通率超6N等核心优势，可大幅降低MicroLED芯片的生产成本与量产门槛。投产后将形成年产300万颗MicroLED器件的产能，可广泛应用于AR/VR、车载显示、高端大屏等场景，项目达产后预计年产值将突破3亿元，标志着我国MicroLED产业突破关键制造瓶颈，迈入规模化量产新阶段。

发表于：2026/5/26 上午9:32:49

关键词：
烟山科技
MicroLED
新型显示
氮化镓

三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令

5月25日消息，据报道，以三星电子非半导体DX部门（含手机、家电、电视）为主的三大工会，向水原地方法院申请临时禁令，要求停止2026年劳资暂定薪资协议的全员投票程序，投票原定5月27日上午10点截止。

发表于：2026/5/26 上午9:31:55

关键词：
三星
存储芯片
罢工

全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型诞生

5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

发表于：2026/5/26 上午9:27:57

关键词：
三星
存储芯片
NAND
闪存

芯片涨价潮蔓延 模拟芯片大厂矽力杰官宣涨价

"模拟芯片大厂矽力杰宣布，自2026年7月1日起对部分产品进行适度价格调整，实际调幅将依具体产品品项而定。本次调价源于整体供应成本上升：AI需求加速增长带动全球供应链波动加剧，原物料价格攀升，晶圆制造、封装测试及物流等环节的生产与运输成本同步上涨，矽力杰表示此次价格调整旨在保障产品品质与供应链安全。业内人士分析，此轮涨价由晶圆代工与封测成本上涨倒逼，并非终端需求旺盛推动，此前MCU、驱动IC已率先调价，当前半导体产业链涨价潮已全面蔓延，上下游数十家厂商已密集发布涨价通知，其中联电下半年晶圆代工价格上调约10%，日月光封测端涨幅为5%至20%。"

发表于：2026/5/26 上午9:18:58

关键词：
矽力杰
模拟芯片
涨价

我国6G试验频率正式获批 2030年前后商用

工信部正式批复6G试验频率使用许可，我国成为全球首个获得6G试验频率资质的国家。本次划定的试验频段为6425–7125MHz，拥有700MHz超大带宽，可同时保障大范围信号覆盖能力与超高数据传输量，适配6G通感一体、空天地融合等核心技术需求，是推动技术落地的优质频谱基础。本次测试由IMT-2030（6G）推进组牵头，国内四大主流通信运营商共同参与，试验周期为2026年至2027年。2022-2025年我国已完成第一阶段6G关键技术试验，当前正启动第二阶段技术方案试验，业内普遍认为6G通信能力可达5G的10倍以上，2030年左右可实现商用。

发表于：2026/5/26 上午9:16:03

关键词：
6G
试验频率
运营商

美光美国新DRAM晶圆厂量产 DDR4产能翻4倍

当地时间5月22日，存储芯片大厂美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片，这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步。作为美国唯一的内存制造商，美光在加强美国国内内存供应方面具有独特优势。

发表于：2026/5/26 上午9:14:19

关键词：
美光
存储芯片
DRAM