头条 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新资讯 1/f噪声- 闪烁的烛光 作者:TI专家BruceTrump翻译:TI信号链工程师RickeyXiong(熊尧)运算放大器的1/f(one-over-f)低频区域噪声好像有一些神秘。1/f噪声也被称作闪烁噪声，像一道闪烁的烛光。 发表于：2013/7/4 高速放大器电路中的 DC 误差校正 同时要求高DC精度与高带宽，实施起来可能会很困难。我们可根据电路配置，提供几种有效方法，包括构建复合放大器或实施基于高速放大器的伺服环路等。 发表于：2013/7/4 关于运放的轨到轨输入 轨到轨运放十分流行，特别是在那些低电压供电的场合。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析19—全功率带宽(FPBW) 因此这里要引入一个重参数，重要程度堪比增益带宽积。那就是运放的全功率带宽。虽然只是一个数学推导。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析18—压摆率(SR) 我始终觉得运放的压摆率（SR）是与运放的增益带宽积GBW同等重要的一个参数。但它却常常被人们所忽略。说它重要的原因是运入的增益带宽积GBW是在小信号条件下测试的。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析17—从开环增益曲线谈到运放稳定性 接part16还是先从开环增益曲线谈起，开环境曲线为什么在低频时为什么会有一个拐点呢？这个拐点就是运放的主极点。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析16—增益带宽积（GBW） 对于运放的增益带宽积，大家再熟悉不过了，这也是我在大学初学运放时，记忆深刻的唯数不多的几个参数之一。还是想写篇贴子对这个参数深刨根一下，（赵大叔小品“往祖坟上刨”）。对于单极点响应，开环增益以6dEETOPTI社区 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析15—开环增益Aol 理想运放的开环增益Aol是无穷大的。这是我们在模电课本上学到的运放的一条基本知识。但现实总是残酷的，残酷到所有的运放的开环增益都不是无穷大，它是一个有限值。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析14—轨至轨输入_TI的领先技术 Part13中讲到了常用的轨至轨运放是采用NMOS与PMOS差分输入级相并联的方法。这一方法巧妙的解决了输入信号达不到两个电源轨的问题。在当今轨至轨输入的运放中得到广泛的应用。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析13—轨至轨输入（rail to rail input） 随着单电源运放的广泛的运用，运放的轨至轨输入（railtorailinput）成为一个时髦的词。现在大部分低电压单电源供电的运放都是轨至轨输入的。 发表于：2013/7/4 <…4416441744184419442044214422442344244425…>
