12 月 7 日，尼康官网发布新闻稿，宣布推出浸润式 ArF 光刻机新品 NSR-S636E，将于明年 1 月开售。

据介绍，NSR-S636E 是尼康光刻系统中生产率最高的产品，是一款用于关键层的浸润式光刻机。

以下内容为来自尼康官网的介绍（自动翻译）：

发展背景

随着数字化转型的加速，能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。领先半导体性能的技术创新的关键推动因素是电路图案小型化和 3D 半导体器件结构，而 ArF 浸没式扫描仪对于这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，3D 半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和变形，因此需要比以往更先进的扫描仪校正和补偿功能。

NSR-S636E ArF 浸没式扫描仪采用增强型 iAS，可在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。该创新系统利用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和畸变校正功能，提供更高水平的覆盖精度，同时保持最大的扫描仪吞吐量。扫描仪的整体输出也比当前一代系统高 10-15% ，从而优化了尖端半导体器件的生产效率。尼康继续为领先的 IC 生产提供 NSR-S636E 等宝贵的解决方案，并支持数字社会的发展。

主要优点

在各种生产工艺（包括容易发生晶圆变形的 3D-IC）中均具有出色的性能

曝光前执行晶圆多点测量的在线对准站 (iAS) 的精度得到提高，从而提高了测量晶圆翘曲和扭曲等变形的精度。先进的测量和补偿功能可提高工艺稳健性并提供卓越的叠加性能，而不会影响生产效率。这些创新对于包括需要超高叠加精度的 3D-IC 在内的各种制造工艺来说具有无价的价值，并将继续开发以实现前所未有的半导体性能。

所有尼康半导体光刻系统中生产率最高

通过吞吐量的全面改进和日常生产力优化，NSR-S636E ArF 浸入式扫描仪将整体产量比当前型号提高了 10-15%。这是尼康半导体光刻系统整个历史上最高的生产力水平。尼康致力于通过 NSR-S636E 等行业领先的解决方案继续突破光刻技术的极限，以支持客户在未来许多年的制造目标。

尼康表示，随着数字化转型的加速，能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。尖端半导体性能技术创新的关键推动因素是电路小型化和 3D 半导体器件结构，而 ArF 浸润式光刻机对这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，在 3D 半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和失真，因此需要比以往任何时候都更先进的光刻机校正和补偿能力。