7 月 16 日消息，《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称，三星电子已决定在下代 HBM 内存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。

注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。结构参见美光下图：

层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元，还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的重要组成部分。

传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

▲ 三星电子目前最先进的 HBM3E 12H 内存

三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

对于三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例：其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。