9月10日，半导体大厂汉磊与世界先进共同宣布签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物半导体碳化硅（SiC）8英寸晶圆的技术研发与生产制造；世界先进将投资新台币24.8亿元（约合人民币5.5亿元），向汉磊认购5,000万股私募普通股，取得汉磊13%股权，以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。

该交易待主管机关核准募资登记后，汉磊和世界先进将展开合作。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。

此次合作将专注于8英寸碳化硅半导体晶圆制造的技术开发及未来的量产，由于SiC的材料特性可以有效提升能源效率，特别在因应全球暖化的节能减碳趋势下，其应用将普及到电动化车型（xEV）、AI数据中心、绿能储能及工控甚至消费性产品等。

汉磊科技董事长徐建华表示：“汉磊集团旗下的嘉晶电子与世界先进长期以来即为硅磊晶事业合作伙伴，本次私募引进世界先进成为策略性股东，透过投资结合将使彼此间策略合作更趋紧密。汉磊与世界先进的合作将在汉磊现有六寸晶圆制造技术及客户的基础上，共同合作进行八寸SiC技术平台开发及产能布建，以提供全球IDM及Fabless客户具有长期竞争力的解决方案。本次策略合作可为世界先进、汉磊及嘉晶电子三方公司创造新的成长动能与合作综效，并为客户及股东权益创造更高价值。”

世界先进公司董事长方略表示：“凭借世界先进领先的特殊集成电路制造专业，以及汉磊在化合物半导体领域的卓越技术，使公司基于现有的电源管理IC，分离式元件以及氮化镓外，再导入碳化硅后，更能成为具备完整第三类化合物半导体的八寸晶圆厂，为拓展电源管理产品相关业务市场，提供从低功耗到高功率、从低频到高频操作，更加完整的电源管理技术平台，冀能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。”