《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 模拟设计 > 业界动态 > 广东发文大力推动光芯片关键材料及装备研发和国产化替代

广东发文大力推动光芯片关键材料及装备研发和国产化替代

2024-10-22
来源:芯智讯

据广东省人民政府网站消息,10月21日,广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。要求加快开展光芯片关键材料研发攻关、推进光芯片关键装备研发制造、支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。

具体来说:

加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料化合物半导体薄膜铌酸锂氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。

推进光芯片关键装备研发制造。大力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策,加快光芯片关键设备更新升级。

支持光芯片相关部件和工艺的研发及优化。大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。


Magazine.Subscription.jpg

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。