1月26日消息，据日经新闻报道，中国封测厂商通富微电已经宣布试生产 HBM2 工艺，而在此之前，中国存储器制造商长鑫存储也已经开始生产 HBM2。

HBM是高带宽内存芯片，其基于多颗DRAM芯片通过先进封装工艺堆叠而成，主要面向高性能AI芯片应用。比如英伟达、AMD、英特尔的AI芯片封装内都有集成HBM芯片。但是由于美国对华半导体限制政策，海外HBM芯片的对华出口收到了限制，这也使得中国AI芯片的发展就必须要依赖于国产HBM厂商的突破。

通富微电是全球第三大第三大半导体封装和测试服务提供商，具备先进封装能力，不过此前其并未有提供HBM芯片的封装服务。据报道称，他们很可能正在利用第三方来源的存储器和半导体必需品，然后利用自己的专业知识组装 HBM2 芯片。

需要指出的是，目前SK海力士最先进的HBM芯片即将进展到了HBM4，HBM2与之相比落后了两代，但即便如此，这对于中国来说也是突破。