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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工艺被判刑7年

2025-02-20
来源:芯智讯
关键词: 三星 DRAM 18nm 半导体

2月19日,韩国首尔中央地方法院第25刑事部(主审法官池贵渊)以违反《防止信息泄漏及保护产业技术相关法律》为由,对因涉嫌向中国企业泄露韩国核心半导体技术的三星电子前高管金某一审判处有期徒刑7年。同时被起诉的原分包商员工方先生和金先生也分别被判处2年6个月有期徒刑和1年6个月有期徒刑。

曾任三星电子部长金某,被指控在 2016 年跳槽至中国新成立的半导体公司时,泄露了三星电子 18nm DRAM 相关的半导体工艺的信息,并将其用于产品开发;方某曾担任三星电子旗下半导体设备供应商A公司的团队负责人,被指控与金某等人合谋将该公司尖端技术——半导体沉积设备的设计技术数据窃取给该中国公司。

法院认定检方对于被告的大多数指控成立,称“以金某为首的被告人窃取了受害公司的重要数据,并将其用于为一家中国公司制造芯片”、“金某泄露了三星电子的技术数据并加以利用”。

法院在解释量刑理由时还表示,“这是妨碍相关领域良好竞争和贸易秩序的严重犯罪,对韩国国家产业竞争力造成重大负面影响。……考虑到中国竞争对手已经从开发阶段进入量产阶段,不难预测三星电子的损失将达到巨大数额。”


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