9月8日消息，Intel前不久出乎意外地宣布他们已经在18A工艺上就使用了High NA EUV光刻机，这比预定的14A工艺才导入这一技术提前了2年之久。

现在Intel及ASML联合宣布了High NA EUV光刻机已经量产了100万片晶圆，这也是该技术的一个重要里程碑。

前不久ASML公布的消息是High NA EUV在全球多个工厂中已经量产了135万片晶圆，这意味着100万片都是Intel生产的，主要是18A工艺，看起来这个技术进度还是远超预期的。

剩下的35万片High NA EUV晶圆应该是台积电、三星、SK海力士等公司用于测试及小规模生产的，还没有大规模用于量产工艺。

前全球有4家客户投入了10台High NA EUV光刻机，还有3台系统正在出货安装中。

Intel不仅是ASML公司High NA EUV光刻机的最大客户，这次双方还联合宣布一项更重要的合作，那就是合作开发6x12英寸面积的High NA EUV光罩（也叫掩模版），计划在2031年试产，2033年正式量产。

光罩尺寸也是之所以High NA EUV光刻发展缓慢的一个重要因素，当前的EUV光刻机可以使用6x6英寸光罩制造的芯片面积理论极限在858mm2，实际量产的芯片面积大约是800mm2，NVIDIA的AI GPU几乎就是沿着极限做的，这也是为何几代AI芯片面积都是这个面积的原因。

但是High NA EUV光刻现在的技术下视场减半，导致制造出来的芯片理论面积在429mm2，这个大小是做不了高性能AI芯片的。

现在Intel与ASML合作的大尺寸光罩就是将面积提升到当前的水平上来，将光罩物理尺寸翻倍到6x12英寸，即便视场还会减半，但能重新制造800mm2的大芯片，否则High NA EUV光刻机的成本是很难消化的，大尺寸AI芯片可以卖到几万到十几万美元，400mm2的芯片就没法卖高价了。

这个技术解决了，High NA EUV光刻技术最大的死穴才能破除，未来才能用于高性能芯片制造。