10月14日消息，据报道，英特尔前CEO帕特·基辛格近日接受专访时，再次对HBM发起猛烈抨击。他直言HBM是丑陋的内存，虽然这是目前能找到的最佳方案，但它真的太差劲了。

基辛格指出，HBM的位密度非常低，同时面临海岸线带宽限制，以及功耗和散热等问题。DRAM不喜欢高温，把所有数据集中在一个地方，对人工智能这种内存计算密集型工作负载来说简直是灾难。

基辛格提到的海岸线带宽问题，本质上是物理和架构瓶颈。HBM采用宽而慢的架构，需要大量并行连接。HBM3/3E总线宽度为1024位，HBM4提升至2048位。

这种超宽总线在芯片布局上直接表现为边缘空间的争夺。 物理层接口占据了计算芯片边缘一块巨大的矩形硅片，正是这块硅片限制了芯片旁可放置的HBM堆叠数量。

此外，计算芯片通常只能分配两个边缘用于HBM，其余两个边缘用于系统I/O，进一步加剧了瓶颈。

热问题同样严峻。据韩国科学技术院的热分析，当HBM功耗超过约30W后，物理层接口自身产生的热量就会成为内存热应力的主要来源。

基辛格此前在RAISE峰会上就曾指出，HBM的垂直堆叠设计容易产生热三明治现象，造成严重的散热难题。

与此同时，HBM产能的扩张正在挤压普通DRAM的供应。HBM芯片消耗的晶圆数量约为同等尺寸普通DRAM芯片的三倍。南亚科技指出，DRAM短缺可能持续到2028年初。

尽管基辛格对HBM提出严厉批评，但他也承认这是目前能得到的最佳方案。SK海力士作为HBM龙头，同样坦言HBM确实不是解决AI存储器瓶颈的最终解答。

随着AI运算需求持续暴增，业界正加速寻找HBM之后的新一代存储器架构。