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 魅族21:四边等宽设计,重回旗舰之列

魅族21:四边等宽设计,重回旗舰之列

作为国产老牌厂商,魅族今年来势汹汹,上半年推出的魅族 20 系列的销量和口碑都相当出色,最近推出的新品魅族21以颇具特色的物理四边等宽设计,以及硬核配置,重回旗舰之列,再次展现了魅族品牌的研发实力和设计魅力。

发表于:2023/12/14 上午11:30:40

鼎阳科技发布SDS800X HD系列数字示波器,打造专业级示波器新标杆

鼎阳科技发布SDS800X HD系列数字示波器,打造专业级示波器新标杆

鼎阳科技发布SDS800X HD系列数字示波器,打造专业级示波器新标杆

发表于:2023/12/12 下午2:57:00

MIKROE推出世界上最大的嵌入式项目平台EmbeddedWiki

MIKROE推出世界上最大的嵌入式项目平台EmbeddedWiki

MikroElektronika(MIKROE)推出世界上最大的嵌入式项目平台—EmbeddedWiki。该平台通过MIKROE 的1500多款 Click 板提供超过1百万个设计,并涵盖12个主题和92个应用程序。每个设计都包含项目的完整描述,以及所需的器件列表。用户在选择MCU后,将收到经100%验证的工作代码。

发表于:2023/12/12 上午8:41:00

Nexperia推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

Nexperia推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。

发表于:2023/12/11 下午1:12:00

德州仪器发布低功耗氮化镓系列新品

德州仪器发布低功耗氮化镓系列新品

  中国上海(2023 年 12 月 1 日) - 德州仪器 (TI)(NASDAQ 代码:TXN)今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器,能解决常见的散热设计问题,既能让适配器保持凉爽,又能在更小的尺寸中提供更高功率。

发表于:2023/12/4 上午7:57:00

恩智浦发布新一代智能语音技术组合的语音识别引擎

恩智浦发布新一代智能语音技术组合的语音识别引擎

  恩智浦发布新一代智能语音技术组合的语音识别引擎。在这篇博文中,我们将探讨开发人员在嵌入式语音控制设计中面临的挑战、我们新的Speech to Intent引擎,以及您如何在应用中使用它。

发表于:2023/12/4 上午7:45:00

Pickering 可切换高达 1kV的新型高压 SMD 舌簧继电器

Pickering 可切换高达 1kV的新型高压 SMD 舌簧继电器

Pickering Electronics宣布推出首款高压表面贴装舌簧继电器,称为 219 系列。该系列舌簧继电器有多种封装形式(尺寸相同,但引脚位置不同)。可以选择1 Form A (SPST)、2 Form A (DPST)或1 Form B (SPNC)触点配置。可切换高达1000V的电压;开关隔离电压高达3000V,而开关线圈隔离电压高达5000V。

发表于:2023/12/1 下午2:26:10

英国Pickering公司推出新款PXIe单槽嵌入式控制器

英国Pickering公司推出新款PXIe单槽嵌入式控制器

023年11月,英国Pickering公司 —— 公司作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,宣布推出新款43-920-001单槽PXIe嵌入式控制器,旨在增强测试能力。新款PXIe嵌入式控制器第一次在单槽尺寸内提供了面向未来的PCIe Gen 4能力。

发表于:2023/12/1 下午2:21:00

英国Pickering公司推出新款21槽全混合PXIe机箱

英国Pickering公司推出新款21槽全混合PXIe机箱

Pickering公司 —— 公司作为用于电子测试和验证的模块化信号开关和仿真解决方案的全球供应商,发布了新款42-927系列 21槽全混合PXIe机箱。新款机箱是Pickering公司PXIe机箱系列的最新成员,具有一个PXIe系统插槽和20个紧凑的4U外形的混合外设插槽。

发表于:2023/11/30 下午1:20:00

Nexperia推出首款SiC MOSFET

Nexperia推出首款SiC MOSFET

Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。

发表于:2023/11/30 下午1:11:00

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