头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上,宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示,电池材料坚持多化学体系发展是必选项,每一种材料都有自身局限性,没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求,在多元体系上建立能力,用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料,并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 基于MT888O—DTMF的逆变电源的设计与开发 双音多频(DTMF)编解码通信具有抗干扰强、低成本、远距离的特点。本文提出基于DTMF远程通信的逆变电源系统。介绍DTMF收发控制器MT8880和三相PWM发生器SA8282的结构特性,由MT8880与单片机80C51和SA8282及IPM组成的基于DTMF技术的逆变电源,具有低成本高可靠远程数据通信的功能,形成远程遥测遥控逆变电源,扩大了逆变电源的应用范围。 发表于:2011/8/15 汽车电子设备EMC技术改进 汽车电子设备的电磁兼容性能在国内日益受到重视,它对提高国内汽车产品的竞争力也相当重要。通过对电子设备干扰源的分析,表明车内电磁干扰是设备所受的主要干扰,为减少系统的电磁干扰,需要采用文中的改进措施来提高汽车电子设备的电磁兼容性能,测试表明改进效果都比较明显。对大多数电气设备,增强电路滤波是比较通用的改进措施。 发表于:2011/8/15 超低电压能量收集器采用热电发生器为无电池无线传感器供电 测量和控制所需的超低功率无线传感器节点的激增,再加上新型能量收集技术的运用,使得由局部环境能量而非电池供电的全自主型系统成为可能。利用环境或“免费”能量来为无线传感器节点供电是富有吸引力的,因为它能够对电池或导线供电提供补充、甚至完全无需使用电池或供电导线。当更换或检修电池存在不便、费用昂贵或危险之时,这显然是一大优势。 发表于:2011/8/15 单片机加PWM芯片的开关电源设计方法 本文介绍了一种单片机加PWM芯片的开关电源设计方法,既可以保留PWM芯片带来的稳定工作性能,又可以利用单片机的控制能力提供各种人机交互和通信接口。笔者设计的电源作为通用电源使用,可以提供灵活可编程的电压电流输出,另外还可以设置成铅酸电池充电器的模式,具有广阔的应用前景。 发表于:2011/8/15 LinearLT3756高压100V大电流LED驱动方案 Linear公司的LTR3756,LT3756-1和LT3756-2是驱动大电流LED的DC/DC控制器,输入电压力V-100V,输出电压高达100V,PWM调3000:1,恒流和恒压稳压,可调频率100kHz到1MHz,能以升压,降压,升-降模式,SEPIC或反激拓扑驱动LED,主要用于大功率LED应用,限流恒压应用和电池充电.本文介绍了LT3756主要特性,方框图,多种LED驱动应用电路,以及评估板1319B-A/1319B-B主要特性,电路图和材料清单. 发表于:2011/8/15 与光伏电池性能要求相匹配的三种TCO玻璃 近几年,晶体硅价格的上涨极大地推动了薄膜太阳能电池的发展,目前薄膜太阳能电池占世界光伏市场份额已超过10%,光伏用TCO玻璃作为电池前电极的必要构件,市场需求迅速增长,成为了一个炙手可热的高科技镀膜玻璃产品。 发表于:2011/8/15 晶体硅太阳能电池激光边缘绝缘化处理 伴随着晶体硅太阳能电池产业的稳步发展,激光一直被认为是提高电池质量和降低制造成本的重要工具。激光加工在诸如激光烧蚀电极(LFC)、激光刻槽掩埋栅电极(LGBC)、以及M/EWT等应用增长显著,目前在晶体硅太阳能电池制造中应用最广泛的激光工艺之一是激光边缘绝缘处理。 发表于:2011/8/15 杂散电感对高效IGBT逆变器设计的影响 IGBT技术不能落后于应用要求。因此,英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 发表于:2011/8/15 户用逆变电源系统的研究与设计[图] 分析、设计了一种以Intel80C196MC微处理器为控制核心的风能、光能互补应用的户用逆变电源系统。系统利用太阳能和风能对蓄电池充电,逆变器采用电流和电压双闭环调节方式,提高了系统的动态响应速度,有效抑制了系统的超调,实现稳态输出无静差。 发表于:2011/8/14 一种全集成型CMOS LDO线性稳压器设计[图] 设计了一种基于0.25μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点,补偿误差放大器输出极点的方法,避免了为补偿LDO输出极点,而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单,芯片占用面积小,无需片外电容。Spectre仿真结果表明:工作电压为2.5V,电路在较宽的频率范围内,电源抑制比约为78dB,负戢电流由1mA到满载100mA变化时,相位裕度大于40°,LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。 发表于:2011/8/14 <…1277127812791280128112821283128412851286…>