3 GHz～5 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

3 GHz～5 GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计
所属分类：技术论文
上传者：aet
文档大小：518 K

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文档介绍：提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器（UWB LNA）。电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成，采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺，并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明，在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内，增益约为13.5 dB，输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB，噪声系数（NF）为0.875 dB～4.072 dB，三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。
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