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绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数[模拟设计][消费电子]

绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。

发表于：2016/8/17

程控单结晶体管(PUT)应用及原理[模拟设计][消费电子]

程控单结晶体管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管，程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能，但因它与单结晶体管的用途相近，故纳入单结管之列。它与单结晶体管也有重工区别。单结管一经制成，从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值，加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差，这就给用记带来不便。程控单结晶体管圆满解决了上述问题，它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、rB2，只需改变二者的电阻比，即可从外部调整其参数值。正是由于PUT器件使用灵活，用途广泛，因此颇受使用者欢迎。

发表于：2016/8/17

“简洁至上”的晶体管甲类音频功率放大器[模拟设计][消费电子]

　Hi－Fi界有一句至理名言，就是“简洁至上”。这就是说，假如能用一个元件或器件做成的电路，就尽量不用两个。电子电路中常用的电子元件有电阻、电容、电感等，常用的电子器件有二极管、三极管及集成电路等。电阻、电容都属于线性元件，在放大电路中可以认为不会因它们而产生非线性失真。但是，目前用于放大的电子器件，不论是电子管、晶体管，还是集成电路，统统都是非线性器件，它们是放大电路中产生非线性失真的根源。因此，在放大电路中应尽量少用管子。要做到这一点也并非容易，所以通常所见到的放大电路都比较复杂。要想“简洁”，必须解决两个问题：一是放大倍数要足够大，至少应该在接CD机时能够达到额定的输出功率；二是非线性失真要尽量小些，在不加负反馈或只加少量的负反馈时，谐波失真系数能够达到Hi－Fi要求。

发表于：2016/8/17

22纳米3D晶体管技术[模拟设计][消费电子]

　Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构，一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。

发表于：2016/8/17

5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象[模拟设计][消费电子]

半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。

发表于：2016/8/16

基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC[模拟设计][消费电子]

氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

发表于：2016/8/16

芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？[模拟设计][消费电子]

1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念，而是数个billion。 2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺，Fin Pitch小于 50nm，可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm，实际只能初略的反映工艺的一个技术节点，真正的沟道长度要比14nm要长一些。

发表于：2016/8/16

晶体管出现的意义[模拟设计][消费电子]

晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。 　　同电子管相比，晶体管具有诸多优越性： 　　①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

发表于：2016/8/16

晶体管工作原理是什么?[模拟设计][消费电子]

利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。

发表于：2016/8/16

晶体管或稳压器并联后可以取消散热器[模拟设计][消费电子]

　双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。

发表于：2016/8/16

一个小型晶体管开关电路的应用[模拟设计][消费电子]

Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另一NPN型开关，与本文无关。 　　实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压影响迅速降低，Q4开始保持R29的分压。这个电路的问题在于Q3对Q4的开关界限不够明显，在R27取值合适的情况下，比如要么小于2M要么大于3M，电路没有问题，否则会导致之前所担忧的情况。

发表于：2016/8/16

场效应晶体管的几点使用技巧[模拟设计][消费电子]

我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管.

发表于：2016/8/16

激光技术用于可穿戴显示器的薄膜晶体管[模拟设计][消费电子]

OFweek可穿戴设备网讯 韩国科学技术学院(KAIST)材料科学与工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授领导的一个研究小组采用无机激光剥离法开发了用于柔性显示器有源矩阵背板的超薄透明氧化物薄膜晶体管(TFT)。

发表于：2016/8/16

一种基于CP-ABE多属性授权中心的隐私保护方案[嵌入式技术][信息安全]

针对云计算环境下用户隐私保护的问题，提出一种基于CPABE多属性授权中心隐私保护方案（PPMACPABE）。方案中采用多个属性授权中心代替单一中央授权服务器，避免了由单一中央授权服务器引起的安全性问题。方案设计了一种交互式的密钥生成算法，利用承诺方案和零知识证明的方法，实现了用户密钥获取过程中用户的属性以及全局身份标识不被泄露，安全性分析表明PPMACPABE方案能够保护用户隐私，并给出了方案的正确性证明。仿真实验结果表明，与DCPABE方案相比，在保护用户隐私信息的前提下，本方案有较高的效率。

发表于：2016/8/16

基于Rossle混沌平均互信息特征挖掘的网络攻击检测算法[通信与网络][信息安全]

传统网络攻击检测方法中，通常使用混沌系统结合高斯混合模型实现同步控制检测，当待检测的攻击信号具有高斯线性特征时，这种方法的检测效果理想。随着网络攻击信号向着非线性随机序列方向发展，传统检测模型无法实现有效的攻击检测。提出一种基于Rossle混沌模型的平均互信息特征潜质挖掘算法，并根据挖掘的互信息这种非线性特征解，实现对具有非线性随机特性的网络攻击信号有效检测。法进行网络攻击检测，检测性能明显提高，检测概率达到97.8%，展示了算法优越的检测性能和网络安全防御价值。

发表于：2016/8/16