头条 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中，高度安全的数据存储是必不可少的，尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。 最新设计资源 MOS管 基础知识与应用[模拟设计][汽车电子] MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 发表于：2017/10/12 MOS管的好坏判断[模拟设计][汽车电子] 主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S 万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。 发表于：2017/10/12 三极管和MOS管的区别是什么[模拟设计][其他] 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时， 发表于：2017/10/12 为何IT8300给电源测试系统提供了最佳方案？[电源技术][工业自动化] 电子负载常用于在电源或其他电能转换设备的产品设计和生产试验中，包括电机驱动器和逆变器。负载一般有两种形式：由功率电阻组成的基础负载和使用主动电路用以动态模拟负载变化的电子负载。负载常用于老化测试进而确定产品早期故障，作为生产测试的一个重要环节。电子负载常被整合到自动测试系统中。测试报告要么被存在本地或者通过电脑接口上传，这样测试数据可以被进一步处理或用于存档。 发表于：2017/10/12 基于改进EKF算法的锂电池SOC预估研究[电源技术][汽车电子] 电池荷电状态（SOC）是描述电池性能的重要指标之一。针对磷酸铁锂电池（LiFePQ4）的特性，选用了能够较真实地反应电池内部状态的PNGV电路模型，提出了改进模型的方法。采用扩展卡尔曼滤波算法（EKF），说明了扩展卡尔曼滤波估算荷电状态的原理并将内阻R0看作状态变量进行同时预估更新，改进形成新的卡尔曼滤波算法。在仿真时对充电电流加入了噪声模拟实测数据。结果表明，该方法能够适应电池特性的动态变化，保证较高的SOC估算精度，减小误差，提高实用性。 发表于：2017/10/12 动爆环境下的多增益冲击波存储测试系统设计[嵌入式技术][航空航天] 弹药动爆威力测试中，测点处冲击波压力值动态范围大，固定单一的增益可能无法获得完整、准确的冲击波信号,而冲击波信号的瞬态变化特性使得自动增益控制(AGC)难以实现。针对上述问题，设计了一种多增益存储单增益读取的测试方案。通过不同增益倍数的调理电路并联，实现对同一个冲击波信号的多增益放大；对存储器进行分区，相同增益的数据存放到同一分区，读取数据时，从多组数据中选取最优数据发送给上位机。实验结果表明，相对单一增益的测试系统，设计的多增益测试系统可以方便地在动爆试验环境中应用，能更加可靠准确地获取冲击波信号。 发表于：2017/10/12 晶体管简介[模拟设计][其他] 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 发表于：2017/10/11 电动自行车控制器系统构架及其发展趋势[电源技术][汽车电子] 本文介绍了通用电动自行车控制器系统构架和基本的工作原理。同时本文从功率MOSFET管驱动、电流检测、PCB设计和整机的防护四个方面详细的探讨了进一步提高电动自行车控制器的可靠性的设计方法及其注意的细节。最后，给出了电动车控制器的电源电池，集成的功率元件模块的发展趋势。 发表于：2017/10/11 电动自行车用电机控制器原理与维修（A）[模拟设计][汽车电子] 电动车用电机控制器近年来的发展速度之快，使人难以想象，操作上越来越“傻瓜”化，而显示则越来越复杂化。比如，电动车车速的控制已经发展到“巡航锁定”；驱动方面，有的同时具有电动性能和助力功能，如果转换到助力状态，借助链条张力测力器，或中轴扭力传感器，只要用脚踏动脚蹬，便可执行助力或确定助力的大小。这期本刊开始给您讲述控制器的知识，让您对控制器有一个更全面的了解。 发表于：2017/10/11 mosfet的驱动和保护[模拟设计][汽车电子] 电力场效应管是单极型压控器件，开关速度快。但存在极间电容，器件功率越大，极间电容也越大。为提高其开关速度，要求驱动电路必须有足够高的输出电压、较高的电压上升率、较小的输出电阻。另外，还需要一定的栅极驱动电流。 发表于：2017/10/11 mosfet的安全工作区[模拟设计][其他] 正向偏置安全工作区，如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ，4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况：直流DC，脉宽10ms，1ms,10μs。它与GTR安全工作区比有2个明显的区别：①因无二次击穿问题，所以不存在二次击穿功率PSB限制线；②因为它通态电阻较大，导通功耗也较大，所以不仅受最大漏极电流的限制，而且还受通态电阻的限制。 发表于：2017/10/11 mosfet的动态特性和主要参数[模拟设计][其他] 动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它影响器件的开关过程。由于该器件为单极型，靠多数载流子导电，因此开关速度快、时间短，一般在纳秒数量级。Power MOSFET的动态特性。 发表于：2017/10/11 mosfet的静态特性和主要参数[模拟设计][其他] Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。 发表于：2017/10/11 MOSFET结构和工作原理[模拟设计][其他] 电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。 发表于：2017/10/11 MOSFET选择策略详解[模拟设计][其他] 在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件，因而是高频应用的理想选择。 发表于：2017/10/11 <…417418419420421422423424425426…>
