单对以太网在楼宇自动化中的应用[通信与网络][通信网络]

单对以太网在楼宇自动化中的应用 德州仪器（TI）系统工程师Navaneeth Kumar 以太网已成为楼宇自动化中控制金字塔顶端的主流通信协议。电气和电子工程师协会（IEEE）最近定义了一种新型以太网标准——IEEE 802.3.cg，用于10 Mb/s的操作以及通过一对平衡导体进行的功率传输。由于单对电缆现在可同时支持数据和电源，因此采用此标准可节省大量成本，并更易于在楼宇自动化应用中进行安装。

发表于：2020/8/18 下午2:31:00

ITECH半导体测试方案解析,从容应对全球功率半导体市场风起云涌[测试测量][汽车电子]

全球功率半导体市场风起云涌，行业整合步伐加速。作为电力控制/节能减排核心半导体器件，功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、智能电网等诸多领域。顺全球半导体产业洗牌大势，近年来功率半导体产业整合步伐急速提升 新能源全产业链势头正旺，IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件约占新能源汽车整车价值量的价值量10%，Mosfet、IGBT等功率模块亦是充电桩/站等设备核心电能转换器件。中国已成为全球第一新能源汽车市场，同时光伏/智能电网/充电桩等全产业链将持续拉动各类型功率器件市场

发表于：2020/8/17 下午4:46:00

详解FPGA如何实现FP16格式点积级联运算[人工智能][其他]

摘要：通过使用Achronix Speedster7t FPGA中的机器学习加速器MLP72，开发人员可以轻松选择浮点/定点格式和多种位宽，或快速应用块浮点，并通过内部级联可以达到理想性能。

发表于：2020/8/16 上午11:18:00

ADALM2000实验：共发射极放大器[模拟设计][工业自动化]

　共发射极放大器是三种基本单级放大器拓扑之一。BJT共发射极放大器一般用作反相电压放大器。晶体管的基极端为输入，集电极端为输出，而发射极为输入和输出共用（可连接至参考地端或电源轨），所谓“共射”即由此而来。

发表于：2020/8/14 下午3:29:00

全球首个FDD NR 40MHz创新解决方案落地深圳[通信与网络][5G]

　近日，华为携手深圳电信率先实现了全球首个FDD NR 40MHz创新解决方案试点，通过FDD 2100MHz频段发挥覆盖优势，FDD NR最大化频谱效率，进一步实现了5G TDD与FDD协同组网，在共建共享的场景下，打造极致体验的5G网络。该试点属于深圳电信5G先行示范区的建设计划，通过试点双方就5G目标网络的验证又迈进了一步。

发表于：2020/8/13 下午3:06:25

亚信电子推出4端口TSN PCIe千兆以太网卡解决方案[通信与网络][工业自动化]

TSN技术与OPC UA通讯协议技术的结合，提供实现工业物联网（IIoT）与工业网际网路（Industrial Internet）的关键技术，未来亦将成为新一代工业通信技术的明日之星。

发表于：2020/8/12 下午11:22:00

Maxim Integrated发布最新USB-C功率传输(PD)方案，开发时间缩短3个月、方案尺寸减小一半，有效加速行业普及[电源技术][消费电子]

中国，北京.—2020年8月12日—Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM) 宣布推出MAX77958 USB-C PD控制器和MAX77962 28W升/降压充电器，帮助设计者克服USB-C功率传输(PD)设计挑战。随着便携式设备中不断加入5G无线通信、4K视频等新的技术，许多设备正在从单电池供电架构转变为双电池(2S)供电架构。转变后的系统要求通过USB-C PD传送更高的功率，并以更大的功率充电(25W或更高)。利用MAX77958 USB-C PD控制器，设计者即刻拥有开箱即用的USB-C PD兼容方案，可以将设计时间缩短3个月，同时利用MAX77962升/降压充电器将方案尺寸减小一半。

发表于：2020/8/12 下午11:14:00

PLC线到底该怎么接,PLC系统如何设计,PLC软编程方法[可编程逻辑][消费电子]

为防止plc和变频器之间的控制信号线受空间电磁场的干扰，可在这些控制信号线的外层接屏蔽线，以提高系统的抗干扰能力。此种接线一定要注意，对屏蔽的接地点只能选取一点。不管是在PLC一边，还是在变频器的一边。一般选在信号接收端，即变频器一边。这样，可提高系统的抗干扰能力。

发表于：2020/8/12 下午9:02:00

材料帮助图形成像以解决PPAC中的矛盾[测试测量][其他]

　　在半导体产业的黄金时代，当戈登·摩尔还在为自己的公司制定路线图时，平面尺寸的缩小就带来了功耗、性能和面积/成本的同步进步（PPAC）。但随着时间的推移，登纳德平面尺寸缩小定律对功耗的帮助受阻，而材料工程开始应用于半导体制造，以促进功耗、性能和面积/成本的持续提高。其中，高K值金属栅极就是一个最有力的例证。

发表于：2020/8/12 下午4:22:00

提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性[电源技术][工业自动化]

　　半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些SiC供应商已开始根据严格的工业和汽车（AEC-Q101）标准来认证SiC器件，而另一些供应商不但超出了这些认证标准的要求，还能为恶劣环境耐受性测试提供数据。为了使SiC器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率，应将这种认证和测试策略与特定的设计规则相结合来实现高雪崩耐受性，这一点至关重要。

发表于：2020/8/12 下午4:00:00