解决方案 IGBT的驱动和过流保护电路的研究[模拟设计][消费电子] 绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。 发表于：2016/8/22 下午6:10:00 MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/19 上午11:04:00 P沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 发表于：2016/8/19 上午10:44:00 N沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 发表于：2016/8/19 上午10:25:00 MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/18 下午6:46:00 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思[模拟设计][消费电子] 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：2016/8/18 下午6:28:00 什么是耗尽型MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。 发表于：2016/8/18 下午6:08:00 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型[模拟设计][消费电子] 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。 发表于：2016/8/18 下午6:00:00 新型高耐压功率场效应晶体管[模拟设计][消费电子] 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。 发表于：2016/8/18 下午5:24:00 场效应晶体管放大器[模拟设计][消费电子] 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。 发表于：2016/8/18 下午5:09:00 <…199200201202203204205206207208…>
