头条 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新资讯 MicroVision和意法半导体联合推广基于MEMS微镜的激光扫描解决方案 中国，2016年11月11日 —— 业界领先的微型投影和感测技术创新企业MicroVision公司 (纳斯达克证交所代码: MVIS)和横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）意法半导体宣布，双方将合作研发和销售激光扫描(LBS)技术。 发表于：2016/11/11 Valens和意法半导体合力推进车载信息网络技术革新 中国 – 2016年11月9日 —— Valens半导体公司和意法半导体联合宣布，双方合作开发面向下一代互联网汽车的HDBaseT Automotive芯片。这项高效技术优化了车载信息网络性能，通过低成本基础设施高速传输信息娱乐、公路安全和汽车控制相关的数据信息，传输速率高达6Gbps，具有高可靠性、高吞吐量、几乎无传输延迟的优点。 发表于：2016/11/11 Cadence与西安电子科技大学携手共建集成电路设计培训中心 2016年11月11日，中国上海—楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ: CDNS）与西安电子科技大学共同宣布，Cadence将与西安电子科技大学携手共建集成电路设计培训中心（下称“联合培训中心”），并在西安电子科技大学隆重举行了西电、CSIP、Cadence战略合作会议暨联合培训中心揭牌仪式。西安电子科技大学副校长李建东和Cadence全球副总裁兼亚太区总裁石丰瑜先生，与陕西省工业和信息化厅电子信息处处长高翔和工业和信息化部软件与集成电路促进中心集成电路处负责人霍雨涛共同为联合培训中心进行揭牌。在揭牌仪式之后，西安电子科技大学微电子学院副院长张进成主持了西安集成电路与产业座谈会，就西北地区人才培育和实践培训等话题，Cadence与西电、西安当地研究所及企业进行了深入探讨。 发表于：2016/11/11 带推拉式锁紧机构的M12节省空间型面板馈通装置 全新带D和X编码的节省空间型超薄设计的M12凹型面板馈通装置让快速以太网和10 GBit以太网在密闭空间和紧凑型设备的连接更加方便。 发表于：2016/11/11 中兴微新一代数字多媒体芯片 开启视觉极致体验 在第十四届中国国际半导体博览会暨高峰论坛（IC CHINA2016）期间，中兴微电子展示了国内最早的4K@60fps数字多媒体芯片解决方案，结合智慧家庭开展现场体验的包括高中端两颗芯片：ZX296719和ZX296716。其高端芯片CPU采用了big.LITTLE的大小核架构：两核CortexA72+四核CortexA53，集成NOEN及FPU，并配置高端图像处理的四核Mali T820 GPU，在提供超强计算能力和图像处理能力的同时也显著降低了功耗。 发表于：2016/11/11 NEC 借助AI撬动未来物联网世界 看过《碟中谍》系列大片的朋友，可能对特工们在火车站庞大的人流中借用人脸识别隐形眼镜迅速锁定目标的场景惊叹不已，而这一幕已被NEC从梦想带到了现实。近日，NEC在东京高大上的场所——东京国际论坛大厦举办了全球用户论坛暨展览会(C&C User Forum & iEXPO2016)，记者作为核心媒体代表在现场亲身感受到了NEC展示的前沿ICT技术，其中就包括运用AI提高准确度的人脸识别技术，帮助管理人员在大型活动中快速地通过面部数据进行身份识别，锁定目标。通过两天的采访和体验，记者发现，随着“实时在线”的物联网社会的到来，NEC正在借助AI撬动未来物联网的世界，让ICT技术解决更多的人类难题。 发表于：2016/11/10 量子通信的源头 单光子源技术 国自主研发的"墨子号"卫星在酒泉卫星发射中心发射，首次实现卫星与地面之间量子通信联接。自此，量子通信这一前沿科技开始走入大众视线。 发表于：2016/11/10 大数据云计算群雄逐鹿 分解全球四大标杆企业 云计算越来越广为人知，企业对云计算的重视程度也日趋加深，云计算的三层IaaS、PaaS和SaaS应该已经家喻户晓了，早期这三个层次的服务是下端-中端-顶端的明显区别，但是NIST在两年前提出了一个新的观点，云类型的界限已经变得很模糊了。 发表于：2016/11/10 专利显示苹果在把AR技术整合到iOS底层服务中 据外媒报道，虽然苹果首席执行官蒂姆·库克(Tim Cook)尚未正式披露公司的虚拟/增强现实计划，但他暗示该公司更看好增强现实技术。最近披露的一件专利申请材料表明，苹果在把增强现实技术植入其底层iOS服务中。 发表于：2016/11/10 带工艺修调的低温漂片内振荡器设计 针对片内CMOS振荡器频率稳定性不高的问题，提出了一种对温度和工艺的补偿方案。基准电压在正温度电阻上产生一路负温度系数的电流，将其与带隙基准产生的PTAT电流进行叠加得到零温度系数的电流对电容充电；采用数字修调网络对电容进行修调，振荡器频率的工艺漂移被显著降低。仿真结果表明：典型工作条件下，振荡器中心频率为1 MHz，占空比为50%；当温度在-40 ℃～125 ℃范围内变化时，振荡器输出频率漂移仅为0.8%；对电容进行修调后，在三种不同的工艺角下，输出频率相对误差仅为1.23%。振荡器对温度和工艺偏差不敏感，表现出良好的稳定性。 发表于：2016/11/9 <…4246424742484249425042514252425342544255…>
