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SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4

三星考虑跟进
2024-12-05
来源:芯智讯

12月4日消息,据《韩国经济新闻》报道称,传闻韩国存储芯片大厂SK海力士(SK Hynix)应重要客户的要求,将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4

报道称,消息人士透露,SK海力士已决定与台积电合作,最快明年3月就会发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片(base die)的垂直堆叠HBM4原型,而主要出货的客户是英伟达(NVIDIA)。

HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片(Base Die),但是HBM4则会将DRAM Base Die 改成Logic Base Die,以推动性能和能效进一步提升。具体来说,这个Logic Base die是连接AI加速器内部图形处理单元(GPU)和DRAM的必备组件,位于DRAM的底部,主要充当GPU和内存之间的一种控制器,并且这个Logic Base Die与之前的Base Die不同,它可以让客户自行设计,可以加入客户自己的IP,有利于HBM实现定制化,从而让数据处理更为高效。预计可以将功耗大幅降低至之前的30%。

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根据现有的消息来看,SK海力士会将其HBM4的base die交由台积电3nm制程制造,有望相比之前的传闻的5nm制程带来20-30%的提升。而三星的HBM4的base die此前传闻将会采用4nm制程制造,这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具优势。

不过,据爆料人士@Jukanlosreve 于11月3日通过社交平台X指出,SK海力士之所以改为采用台积电3nm制程来制造HBM4 Base Die ,是为了应对三星以4nm来生产HBM4 Base Die 的声明。结果,三星现在也考虑以3nm生产HBM4 Base Die ,甚至可能选用台积电的3nm制程。


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