9月1日消息，据社交媒体平台X引述《韩国先驱报》报道，韩国存储芯片大厂SK海力士（SK Hynix）打算分散高带宽内存（HBM）所需的基底芯粒（Base Die）供应来源，正在评估从第7代HBM产品“HBM4E”开始，将过去全部委托交由台积电生产的基底芯粒，部分转交英特尔代工。

HBM的基底晶粒又称逻辑晶粒（logic die），位于存储单元的核心芯粒的最底层，是支撑并控制整体结构的控制器芯片，负责高速连接GPU、CPU等外部处理器与HBM之间的数据传输。

SK海力士在HBM3E以前，都以自家制程生产基底晶粒。不过，随着HBM的持续演进，基底芯粒所负责的逻辑运算与控制功能日益重要，对性能的要求也随之提高，因此SK海力士从HBM4开始与台积电合作生产基底芯粒。目前量产中的SK海力士HBM4，正采用台积电12nm级制程生产的基底芯粒，但是成本相对高昂。

据业内消息，台积电生产的HBM4基底芯粒，成本是SK海力士以10nm级第5代（1b）制程生产的核心芯粒（core die）的3至4倍。

进入HBM4E世代后，预计基底芯粒的成本负担还会进一步增加。由于HBM采用长期供应合约（LTA）的比重较高，晶圆代工成本上升后，也不容易立即将增加的成本转嫁至产品价格。

因此，业界认为，如果英特尔实际加入基底芯粒代工，SK海力士在成本与供应稳定性两方面，都将拥有更多选择。