EDA与制造相关文章 三星两个半导体工厂被曝按下暂停键 三星韩美半导体工厂被曝按下暂停键 发表于：2024/9/27 新存科技发布国内最大64Gb单芯片容量3D新型存储器芯片NM101 新存科技发布国内最大64Gb单芯片容量3D新型存储器芯片NM101 发表于：2024/9/27 美光宣布今明两年HBM产能已销售一空 9月25日，存储芯片大厂美光科技于美股盘后公布了截至自然年2024年8月29日的2024财年第四财季财报，同时披露了2025财年第一财季业绩指引。 由于整体业绩及指引均超预期，推动美光盘后股价上涨超过10%。截至当地时间26日美股收盘，美光股价大涨14.73%。 营收同比暴涨93.3% 得益于存储需求回暖以及存储芯片价格上涨，美光第四财季度营收为77.5亿美元，同比暴涨93.3%，高于分析师预期76.6亿美元，符合公司此前给出的74亿至78亿美元指引。 发表于：2024/9/27 新思科技和台积电为万亿晶体管AI和多芯粒芯片设计铺平了道路 9月25日，EDA及半导体IP大厂新思科技（Synopsys）宣布与晶圆代工龙头大厂台积电持续密切合作，基于台积电最先进的工艺和 3DFabric 技术，提供了先进的 EDA 和 IP 解决方案，以加速 AI 和多芯粒设计的创新。AI 应用中无休止的计算需求要求半导体技术跟上步伐。从行业领先的 AI 驱动型 EDA 套件（由 Synopsys.ai™ 提供支持以提高生产力和芯片结果），到促进向 2.5/3D 多芯粒架构迁移的完整解决方案，新思科技和台积电几十年来一直密切合作，为未来十亿到万亿晶体管的 AI 芯片设计铺平了道路。 发表于：2024/9/27 SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片 9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量；公司将在年内向客户提供此次产品。 发表于：2024/9/26 三星电子代工业务遇困局不断 三星电子代工业务遇困局：成熟制程水平落后、先进制程难获订单 发表于：2024/9/26 美国敲定芯片法案法案首份商业制造设施补贴 美国敲定芯片法案法案首份商业制造设施补贴，高压半导体企业Polar获1.23亿美元 发表于：2024/9/26 英特尔首款18A芯片正式亮相 9月25日消息，据Tom's Hardware报道，处理器大厂英特尔于上周在俄勒冈州波特兰市举行的 Enterprise Tech Tour 活动中，首次展示了其代号为Clearwater Forest的Xeon芯片，这也是英特尔首款最新的Intel 18A制程芯片，不过该芯片可能需要等到明年下半年才能上市。 发表于：2024/9/26 英伟达Blackwell GPU已开始量产 英伟达Blackwell GPU已开始量产，预计四季度将创造100亿美元营收 发表于：2024/9/26 消息称NAND闪存芯片制造商铠侠取消10月IPO计划 消息称 NAND 闪存芯片制造商铠侠取消在 10 月进行 IPO 的计划 发表于：2024/9/25 中国存储模组制造商涌现大批抛货潮 中国存储模组制造商涌现大批抛货潮 发表于：2024/9/25 台积电高雄2nm晶圆厂即将完工 台积电高雄2nm晶圆厂即将完工，预计12月开始装机 发表于：2024/9/25 长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片 9月20日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。 长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。 据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。 发表于：2024/9/24 美国会通过芯片豁免法案 美国会通过芯片豁免法案 加快台积电、英特尔在美建厂 发表于：2024/9/24 特种玻璃巨头肖特发力半导体业务 2024年9月12日，中国上海 —— 全球高科技特种材料领军企业肖特集团（SCHOTT AG）于9月12日举办媒体招待会，在第七届进博会举办倒数50天之际，向中国市场更深入地介绍半导体行业特种玻璃材料的应用范围、技术优势、市场前景以及在中国的布局和发展。 发表于：2024/9/24 <…125126127128129130131132133134…>
