EDA与制造相关文章 现代汽车将购买数万台波士顿动力机器人 4 月 7 日消息，波士顿动力 4 月 3 日公告，该公司与现代汽车集团携手进入新的篇章，以提升制造能力，扩大合作以生产更多机器人。 现代汽车集团将在未来几年内在美国购买数万台波士顿动力机器人。它还将通过整合其制造能力，帮助波士顿动力公司成为“世界上领先的先进移动机器人制造商”。 现代汽车集团已经在其设施中部署 Spot 机器狗进行工业检查和预测性维护，并将未来在工厂中部署 Atlas 人形机器人。 发表于：4/8/2025 消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80% 消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80%，触及量产及格线 发表于：4/8/2025 据称长鑫存储正考虑提高DDR4产品价格 据称长鑫存储正考虑提高DDR4产4 月 6 日消息，近期多家厂商宣布对 DRAM 内存与 NAND 闪存产品价格进行涨价，而逐渐淡出主流市场的 DDR4 产品也并不例外。 据外媒 DigiTimes 报道，随着市场形势变化，国内 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）正在考虑提高 DDR4 内存的价格，但具体涨价幅度暂不知悉。 发表于：4/7/2025 消息称Rapidus正与苹果谷歌等业界主流公司展开谈判 4 月 5 日消息，据日经亚洲报道，日本新兴芯片制造商 Rapidus 最近正在和苹果、谷歌、微软、Meta 等业界主流科技公司进行谈判，寻求供应合作可能性。 尽管与台积电（TSMC）相比，Rapidus 仍处于追赶阶段，但该公司的 CEO 小池淳义相信，凭借更先进的制造技术，Rapidus 能够缩小差距。目前 Rapidus 计划在 2027 年前实现大规模生产 2 纳米芯片。 发表于：4/7/2025 传三星电子考虑对DRAM内存和NAND闪存产品提价3%~5% 4 月 7 日消息，韩媒《每日经济》（IT之家注：即 MK）当地时间 3 日报道称，三星电子正同全球主要客户就对 DRAM 内存和 NAND 闪存的产品价格上调 3%~5% 进行商讨，部分新合同的谈判已然启动。 发表于：4/7/2025 杜邦中国集团涉嫌垄断被立案调查 4月4日，中国市场监管总局宣布，因杜邦中国集团有限公司涉嫌违反《中华人民共和国反垄断法》，市场监管总局依法对杜邦中国集团有限公司开展立案调查。 发表于：4/7/2025 ASML前员工窃密案细节曝光 2024年12月，一位ASML前员工（A先生）因涉嫌窃取ASML和恩智浦的商业机密而被荷兰政府拘留，荷兰移民局还对其实施了20 年的入境禁令，引发了外界关注。近日荷兰媒体NRC针对该案件披露了更多的细节，并表示该窃密之举是为了协助俄罗斯在本土建造一座 28nm 晶圆厂。 发表于：4/7/2025 传英特尔与台积电将成立合资企业运营晶圆代工厂 4月4日消，据外媒《The information》报道，两位参与相关讨论的知情人士称，英特尔与台积电已经达成了双方成立合资企业的初步协议，双方将共同运营英特尔在美国的晶圆厂。 发表于：4/7/2025 科美存储发布首款100%国产DDR5 RDIMM内存条 过去，在工业存储领域，中国的发展可谓是凄风苦雨、一波三折。存储芯片，中国曾高度依赖进口，进口比例曾高达90%，国产存储芯片市场份额一度下滑至不足4%。同时，工业数据存储面临成本、性能、安全、业务等多方面挑战，如存储成本高、实时性要求难以满足、数据安全存在隐患、传统接口无法满足业务需求等。 发表于：4/3/2025 纬创宣布投资5000万美元在美国建厂 4月2日，中国台湾电子代工大厂纬创发布公告，宣布计划在美国投资新设子公司，注册资本为4,500万美元，并拟于不超过5,000万美元额度内，取得美国土地及厂房。 纬创表示，在美国投资设立的子公司名为Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投资是因业务发展及策略规划需要。 发表于：4/3/2025 龙芯中科宣布2K3000暨龙芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龙芯中科官方宣布，近日，龙芯2K3000暨龙芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各项指标符合预期。 龙芯2K3000、龙芯3B6000M是基于相同硅片的不同封装版本，分别面向工控应用领域、移动终端领域。 发表于：4/3/2025 晶圆代工巨头先进工艺制程进度一览 4月3日消息，日前举办的Vision 2025大会上，Intel正式宣布18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。 发表于：4/3/2025 消息称SK海力士封装厂产线升级 HBM月产能新增1万片晶圆 4 月 2 日消息，韩媒 ET News 当地时间本月 1 日报道称，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造，该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。 消息人士称 SK 海力士为利川 M10F 工厂引进和更换了新项目所需的工艺设备和原材料，并获得了消防部门更新的安全许可，该工厂 HBM 封装产线已于 3 月底开始批量生产。 发表于：4/3/2025 Rapidus 2027年量产2nm芯片仍面临三大挑战 近日，日本经济产业省宣布，已决定向本土半导体制造商Rapidus再追加8025亿日元投资，使得政府援助总额将达到1.7万亿日元，以支持Rapidus实现2027年在日本量产2nm芯片的目标。 发表于：4/3/2025 创意电子完成全球首款HBM4 IP于台积电N3P制程投片 4月2日，先进ASIC厂商创意电子宣布成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）半导体IP的投片。该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。 发表于：4/3/2025 «…62636465666768697071…»
