东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger

　　中国上海，2023年5月16日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出过温检测IC ThermoflaggerTM系列的首两款产品：“TCTH021BE” 当检测到异常状态时，FLAG信号不带锁存功能，“TCTH022BE”FLAG信号检测带锁存功能。它们利用正温度系数（PTC）热敏电阻在简单的电路配置中检测电子设备内部的温升。该产品于今日开始支持批量出货。

发表于：2023/5/17 下午10:57:00

新思科技、台积公司和Ansys强化生态系统合作，共促多裸晶芯片系统发展

加利福尼亚州山景城，2023年5月17日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能。

发表于：2023/5/17 下午4:31:11

重压之下中国自研光刻机核心技术获重大突破！

在重重打压与阻挠下，中国坚定了自立自强的决心，增强了自主研发能力，攻克了“卡脖子”关键技术，在这种趋势下，西方的态度似乎正在发生转变。

发表于：2023/5/17 下午12:01:00

哲库余震：小米 vivo 荣耀们还能撑多久？

作为国内芯片设计行业最受关注的后起之秀，OPPO旗下的哲库用一种最决绝的方式和所有人说再见了。

发表于：2023/5/17 上午9:46:26

免费在线研讨会 –从油车到电车传动系统测试，无线遥测技术能发挥哪些作用？

　　先睹为快：研讨会内容速览|5月17日（周三） 下午3-4点 　　汽车传动系统本质上是将化学能（燃油车），电能（电动车）转化为车轮上的扭矩，无论是产品研发，还是性能测试，都需要精确获得飞轮，电机轴、半轴以及车轮上的扭矩，转速或其它信号。例如：电动汽车由电机直接驱动半轴到车轮，对比传统燃油车，半轴承载扭矩的变化速度和幅值都更快，更大，乃至更危险。德国imc测试测量采用先进的无线遥测技术，可应用在电动汽车能量流测试（机械功率精准测试）、电动汽车能量回收测试、燃油车飞轮测试等测试场景。

发表于：2023/5/16 下午10:38:00

派拓网络在全球扩展Unit 42数字取证和事件响应服务

2023年5月16日，北京——全球网络安全领导企业Palo Alto Networks（纳斯达克代码：PANW）（派拓网络）近日宣布扩展Unit 42数字取证和事件响应服务。全球数字取证和事件响应服务将深厚的事件响应经验与丰富的AI解决方案（包括Cortex® XDR® 和Xpanse™以及Prisma® Cloud）相结合，使企业能够立即做出反应，而且恢复速度快于市场上的大多数数字取证和事件响应（DFIR）服务。

发表于：2023/5/16 下午2:58:45

国内首款存算一体大算力芯片，瞄准智能驾驶！

用存算一体创新架构，重构智能驾驶芯片。后摩智能是国产AI大算力智驾芯片领域跑出的一匹黑马。

发表于：2023/5/16 上午11:08:39

OPPO终止ZEKU芯片业务的背后

“出货量持续下降”、“清库存”、“裁员”、“亏损抢单”、“亏不起拒接订单”、“砍掉新业务聚焦老业务”、“降低成本提高效率”···这些足以表明以智能手机为代表的消费类电子负面的语句，是近期笔者走访产业链听闻最多的话语，“活下去”——似乎也成为产业链众多企业共同的目标。

发表于：2023/5/16 上午10:31:00

意法半导体公布2023年第一季度财报

　　2023年5月5日，中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）公布了按照美国通用会计准则（U.S. GAAP）编制的截至2023年4月1日的第一季度财报。

发表于：2023/5/16 上午7:08:00

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

　　英国剑桥 - Cambridge GaN Devices （CGD） 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的电路，而是采用商用工业栅极驱动器。最后，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗，并缩小尺寸，减轻重量。基于这些优势，该产品在同类产品中具备领先的效率性能，并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

发表于：2023/5/16 上午7:01:00