富士通2nm CPU仍交由台积电代工

6月24日消息，据日经新闻报道，日本富士通（Fujitsu）目前正研发2nm CPU “MONAKA”，预计将交由台积电代工生产。不过，富士通也表示，日本初创晶圆代工企业Rapidus 对于确保供应链稳定性来说非常有用。 据了解，富士通Monaka是一款面向数据中心的处理器，采用基于台积电的CoWoS-L封装技术的博通3.5D XDSiP技术平台，拥有36个计算小芯片。其中主要的CPU计算核心基于Armv9指令集，拥有144个CPU内核，采用台积电2nm制程制造，并使用混合铜键合 （HCB） 以面对面 （F2F） 方式堆叠在 SRAM tiles 上（本质上是巨大的缓存）。SRAM tiles是基于台积电的5nm工艺制造的。计算和缓存堆栈伴随着一个相对巨大的 I/O 芯片，该芯片集成了内存控制器、顶部带有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以连接加速器和扩展器，以及人们期望从数据中心级 CPU 获得的其他接口。

发表于：2025/6/24 上午11:13:10

2026年约1/3手机芯片采用2nm/3nm先进工艺

CounterPoint 预测 2026 年约 1/3 出货手机芯片采用 2nm / 3nm 先进工艺

发表于：2025/6/24 上午10:24:00

阿里云推出自动驾驶模型加速框架PAI-TurboX

训练时间可缩短 50%，阿里云推出自动驾驶模型加速框架 PAI-TurboX

发表于：2025/6/24 上午10:15:07

三星Exynos 2500旗舰处理器发布

6 月 23 日消息，三星 Exynos 2500 旗舰处理器今日在官网正式发布。 Exynos 2500 基于 3nm 工艺技术打造，搭载最新 Arm 架构的 10 核 CPU，大核性能比上一代提高了 15%，具体包括： Cortex-X925（参数页写为 X5）频率 3.3GHz Cortex-A725 x 2 频率 2.74GHz Cortex-A725 x 5 频率 2.36GHz Cortex-A520 x 2 频率 1.8GHz

发表于：2025/6/24 上午10:07:56

西门子宣布计划在重庆建立创新研发中心

6 月 23 日消息，西门子中国今日发文，当地时间 6 月 19 日，重庆市委书记袁家军与中国驻德国大使邓洪波一行，到访西门子总部（柏林），并与西门子董事会主席、总裁兼首席执行官博乐（Roland Busch）、西门子中国董事长、总裁兼首席执行官肖松等管理层进行会谈。双方围绕中德产业共创共赢、西门子与重庆战略合作深化、创新能力共建等话题进行了深入交流。

发表于：2025/6/24 上午9:59:02

估值百亿元的国产GPU独角兽沐曦集成完成IPO辅导

6月23日消息，国产GPU厂商沐曦集成已完成IPO辅导，其上市辅导机构为华泰联合证券。 沐曦集成于2020年9月在上海成立，并在北京、南京、成都、杭州、深圳、武汉和长沙等地建立了全资子公司暨研发中心。

发表于：2025/6/24 上午9:25:00

破解新能源海量接入困局 引领新型电力系统数智化变革

截至2024年底，我国新能源发电装机规模已达14.1亿千瓦，占总装机比重突破 40%，全球新能源装机规模更已跨越100亿千瓦门槛。这一数据背后，是电网从“单向传输”向“源荷互动”的剧烈转型——当某沿海省份因台风导致10千伏配网通信中断、百万千瓦海上风电瞬间失去调度控制时，传统电力通信网络的短板已成为新型电力系统建设的 “阿喀琉斯之踵”。尤其在分布式光伏遍布城乡、充电桩成为家庭用电“新成员”的当下，通信网从“电力配角”向“智能神经”的升级，已成为破局新能源高效集控的核心关键。

发表于：2025/6/24 上午9:06:02

瑞萨电子因Wolfspeed破产将认列2500亿日元损失

由于碳化硅（SiC）材料大厂Wolfspeed 可能将在近期内申请破产，6月23日，曾与Wolfspeed达成碳化硅供应协议的瑞萨电子，已与 Wolfspeed及其主要债权人签署重组支持协议（以下简称“重组支持协议”），以对 Wolfspeed 进行财务重组。瑞萨预计将认列2500亿日元损失。

发表于：2025/6/24 上午9:02:00

英飞凌与Typhoon HIL合作，通过实时硬件在环平台加速xEV功率电子系统的开发

2025年6月23日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与领先的硬件在环（HIL）仿真解决方案供应商Typhoon HIL合作，共同为汽车工程开发团队提供用于开发xEV动力总成系统关键组件的全集成实时开发和测试环境。

发表于：2025/6/23 下午5:29:37

中国科学院双向高导热石墨膜研究获突破

中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑 6 月 23 日消息，近日，中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究，提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin 达到 1754W/m·K，面外热导率 Kout 突破 14.2W/m·K。与传统导热膜相比，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺陷控制上均表现出显著优势。

发表于：2025/6/23 下午1:23:09