基于Ga2O3的场效应器件研究进展AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

基于Ga2O3的场效应器件研究进展
所属分类：技术论文
上传者：aetmagazine
文档大小：660 K
标签： Ga2O3 宽禁带半导体场效应晶体管
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文档介绍：氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料，由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点，广泛应用于大功率器件等领域，已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性，总结了基于Ga2O3的场效应晶体管（FET）的研究进展，对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳。
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