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基于带隙基准的高端理想二极管研究
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：2845 K
标签：高端理想二极管比较器带隙基准
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文档介绍：环境温度对电路性能有重要影响，针对温度漂移问题，该研究使用基于带隙基准设计高端理想二极管，电路由高端负载开关MOS管、电压比较器和带隙基准电压模块等构成。电压比较器具有优先迟滞回环传输特性，可提高抗干扰能力；带隙基准电压源具有高精度，电压比较器通过对比MOS管输出端的分压电压与基准电压大小，再控制高端负载开关MOS主管导通与截止。正向、反向偏置仿真表明，电路具有防止倒灌功能和较低的正向压降，可以保护前级电路；整个电路具有较低的静态电流损耗；适用于窄带物联网（NB-IoT）的低损耗应用场景，电路结构简洁，具备低成本优势。温度扫描仿真分析表明带隙基准电压模块具有较好的温度稳定特性，设计的理想二极管电路具有更高的精度和更好的温度特性。
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