头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 三星：考虑将MUF技术应用于服务器 DRAM 内存 据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。 经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要用于服务器。 MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。 发表于：2024/3/4 AMD：无法兼容Intel Wi-Fi 7网卡 Intel 近日发布了新版 Wi-Fi 7 无线网卡驱动，增加新功能，修复已知 Bug，但遗憾的是，依然和 AMD 系统不对付。 新驱动在 Windows 10/11 64 位下版本号为 23.30.0，Windows 10 32 位下版本号为 22.160.0。 发表于：2024/3/4 三星SDI敲定匈牙利第三工厂计划 据 TheElec，三星 SDI 已最终敲定了在匈牙利建造第三座电池工厂的投资计划。三星 SDI 正在扩建现有的匈牙利第二工厂，预计将在 9 月竣工。 消息人士称，该公司预计今年将在整体设施扩建上花费超过 6 万亿韩元（当前约 324 亿元人民币），其中超过 1 万亿韩元（当前约 54 亿元人民币）将用于建设第三工厂。据称，三星 SDI 还将从菲律宾招募工人到匈牙利工作。 发表于：2024/3/4 多通道优先级放大器的设计与应用 图1所示的模拟优先级放大器最初是作为多输出电源的一部分进行设计，其中稳压操作基于最高优先级通道的电压。该放大器的另一个应用是带电子节气门控制的引擎控制系统，其中引擎需要对多个输入命令中优先级最高的一个作出响应。 发表于：2024/3/1 贸泽联手Würth Elektronik推出全新电子书 2024年2月26日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 （Mouser Electronics） 与Würth Elektronik联手推出全新电子书，汇聚了八位专家针对物联网 （IoT） 技术与设备相关应用的讨论。 发表于：2024/2/29 全球首款“弹性”rSIM助力物联网设备“永远在线” 助力物联网设备“永远在线”——全球首款“弹性”rSIM如何实现？ 全球首款可自动切换网络的“弹性”rSIM问世！再也不怕物联网设备掉线！ 发表于：2024/2/29 消息称三星背面供电芯片测试结果良好 据韩媒 Chosunbiz 报道，三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，有望提前导入未来制程节点。 传统芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩，传统供电模式的线路层越来越混乱，对设计与制造形成干扰。 BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，可简化供电路径，解决互连瓶颈，减少供电对信号的干扰，最终可降低平台整体电压与功耗。对于三星而言，还特别有助于移动端 SoC 的小型化。 发表于：2024/2/29 美光推出紧凑封装型UFS 4.0 美光宣布开始送样增强版通用闪存（UFS） 4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型 UFS 封装 ( 9 x 13mm ) 。 新款内存基于先进的 232 层 3D NAND 技术， 美光 UFS 4.0 解决方案可实现高达 1TB 容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 发表于：2024/2/29 浅谈因电迁移引发的半导体失效 浅谈因电迁移引发的半导体失效 发表于：2024/2/28 TI裁掉低端电源芯片研发团队 据“芯视点”可靠消息，TI于最近裁掉了其其位于北京的一个芯片设计团队。据了解，TI这个北京团队主要负责较为低端的电源芯片研发，团队人数约为50人左右。 知情人士表示，TI这个裁员一方面可能受到整个消费端市场需求不振的影响；另一方面，国内包括电源芯片在内的内卷，也推动TI做出了这样的决定；此外，当前中美关系的影响，让TI最终走上了这样一条道路。 发表于：2024/2/28 <…251252253254255256257258259260…>
