头条 华为发表半导体演进新定律 摩尔定律面临物理极限和经济效益双重挑战，全球芯片行业迫切需要探索新的演进路线。5月25日，电气电子工程师学会（IEEE）在上海举办的国际电路与系统研讨会上，华为公司发表了韬(τ)定律，提出以“时间 (τ) 缩微”替代“几何缩微”，作为半导体与电子系统演进的新指导原则。通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。 最新资讯 苹果在华禁售，救星竟是华为 高通最近的操作真的猛如虎，刚刚推出的骁龙855宣告“5G”时代来了，没想到反响平平，眼看着世界三大手机厂商都要弃自己而去，高通一气之下搞了个大新闻：把苹果告到禁售了。 发表于：2018/12/14 中国法院批准禁售部分iPhone机型 2018年12月10日，Qualcomm Incorporated（高通）宣布，中国的福州中级人民法院授予了Qualcomm针对苹果公司四家中国子公司提出的两个诉中临时禁令，要求他们立即停止针对Qualcomm两项专利的、包括在中国进口、销售和许诺销售未经授权的产品的侵权行为。相关产品包括iPhone 6S、iPhone 6S Plus、iPhone 7、iPhone 7 Plus、iPhone 8、iPhone 8 Plus和iPhone X。所涉的两项专利之前已经在专利无效程序中被中华人民共和国国家知识产权局认定为有效。 发表于：2018/12/14 SST和SK hynix system ic合作扩大嵌入式SuperFlash技术的应用范围 2018年12月13日，越来越多的集成电路（IC）设计人员希望找到方法，在实施低功耗、高耐用嵌入式闪存的同时保持较低的生产成本。Microchip Technology Inc．（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology （SST）宣布与SK hynix system ic建立战略合作伙伴关系，共同扩大SuperFlash®技术的应用范围。通过合作，SST的嵌入式SuperFlash®技术将应用到SK hynix system ic的110纳米（nm）CMOS平台中，从而为设计人员提供具有成本效益的低功耗嵌入式闪存解决方案。 发表于：2018/12/14 高通激战苹果 英特尔趁势挑战摩尔定律上位 这边苹果和高通正因为专利战打的不亦乐乎，那边英特尔就趁势发了大招，不仅大谈特谈摩尔定律，更是推出了六大战略性架构。 发表于：2018/12/14 传索尼Xperia XZ4首发4800万IMX664相机 配1/1.8英寸大底挑战华为 虽说索尼Xperia XZ4何时发布众说纷纭，但该机所拥有的一些独有的特性却还是陆续浮出水面。根据业内人士披露的信息，这款索尼下代旗舰将配有6．5英寸1620×3840分辨率的RGBW显示屏，长宽比例达到21．3：9，要比此前人们预想的还要修长一些。 发表于：2018/12/14 麒麟980与骁龙845玩手游 vivo NEX开启双屏吃鸡模式 手机SoC芯片是智能手机最为关键的部件，像麒麟980和骁龙845这样的系统级芯片，对手机的性能有着决定性地影响。不过，时下手机性能仅是消费者购机因素之一，求变创新成为不少OEM厂商吸引用户的法宝。麒麟980与骁龙845已经有不少机型在售，不过麒麟980仅用于自家产品，骁龙845是供应给OEM厂商使用的，产品形态更加多样化。骁龙845即使在发布一年之后的今天，处于一些竞争者的冲击之下，但依然具有旺盛的生命力，不断有搭载骁龙845的旗舰手机发布。 发表于：2018/12/14 高通专利大战升级：苹果在华禁售还不够，高通希望美对其施进口令 12月13日消息，继中国法院禁止苹果部分机型在华禁售后，高通又向美国国际贸易委员会申请iPhone进口禁令。但这项禁令有可能伤害美国在5G技术中的主导地位，因此委员会正积极考虑其中利弊，以保护美国公司在下一代手机技术领域的主导地位。 发表于：2018/12/14 孟晚舟保释后发朋友圈：以华为为傲，以祖国为傲 近日，华为公司创始人任正非之女、CFO孟晚舟在加拿大被捕事件，引起各界广泛关注，牵动着每个人的神经。 发表于：2018/12/14 2018年智能手机屏幕设计进化史 今年是手机外观形态最为丰富的一年，在全面屏之前，手机的外观设计大同小异，而在今年的刘海全面屏出现之后，这一情况发生了转变，各大手机厂商都在外观设计上进行了探索与升级。从年初的刘海屏，到水滴屏，升降式结构，滑盖式结构，再到双屏设计，最后到了年底推出的挖孔屏，这一年的屏幕进化可谓是精彩纷呈。而这一切的根源就是不论厂商还是消费者都对真全面屏的一种近乎偏执的渴望。 发表于：2018/12/14 氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏特性 美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β－多晶型氧化镓（β－Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下，显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm－2。 发表于：2018/12/14 <…2616261726182619262026212622262326242625…>
