8月16日消息，外资投行瑞银（UBS）最新研究报告指出，由于供给严重短缺，美光（Micron）通用DRAM的毛利率已正式超越专为AI设计的高带宽内存（HBM）。

根据瑞银的研究，美光的通用DRAM的毛利率成长轨迹极为惊人。在2025年期间约44%至50%，2026年2月飙升至80%，2026年的5月到8月则是攀升至89%与91%。预计2026年底更是会达到92%，2027将达到93%至95%的最高点，并在2028年多数时间维持于93%以上。

相比之下，HBM虽然一直被视为具备高溢价的高端内存产品，但其毛利率增长较为温和。2025年约为56%至63%，2026年将在63%至70%之间，2027年则预计将增长到75%至78%。

报告指出，通用DRAM毛利率反超HBM主要有两大原因：首先，制造难度差异，HBM需要更多的晶圆堆叠与极其复杂的封装步骤，这严重消耗了生产线产能，进而压缩了通用DRAM的产量，造成供应受限。

其次，是双重需求爆发，即AI服务器不仅需要GPU专用的HBM，还需要大量通用DDR5来支持系统CPU运作，这导致HBM与通用DRAM激烈争夺有限的DRAM晶圆资源。

基于上述因素，叠加三大DRAM厂商此前已优先将先进DRAM产线的产能拨给HBM的情况下，导致标准DRAM供给持续紧缩，推动标准DRAM的价格和利润率一路飙升。

尽管当前通用DRAM的毛利率已经超过了HBM，但美光仍在积极布局HBM。

瑞银指出，美光HBM单季出货量预计将从2025年初的0.1 exabytes (EB)，增长至2026年底的0.29 EB，2027年底预计将达到0.43 EB。在全球总量预估为2.1 EB的HBM市场中，美光预计其市占率将在2026年底达到22%至23%，2027年可能短暂下滑至18%，但年底预期回升至21%。与此同时，美光在通用DRAM市场的市占率预计将稳定维持在23%至24%。