8月26日消息，根据高盛集团（Goldman Sachs）最新发布的报告预估，中国大陆7nm及以下先进制程晶圆的自给率，将从2025 年的8%迅速增长至2035年的66%。

高盛预计在2025 年至2035 年间，中国7nm及以下先进制程晶圆的供应量将以年均46% 的高速成长，显著高于同期17% 的需求年均成长率。其中，在生成式AI 热潮下，用于AI服务器的先进晶圆需求年均增长率预估将达到42%。预计到2035 年，中国大陆对先进制程晶圆的月需求量将达到61.9万片，而本土供应量则有望增加至41万片，届时自给率将达66%。

中国最大晶圆代工厂中芯国际（SMIC）将成为这波先进制程产能扩张的核心主力。高盛的分析基于以下假设：中芯国际在2026 年至2031 年间，每年将新增月产能3 万至5 万片的先进制程产能，而2032 年至2035 年间，每年则会继续追加月产能2万片。

此外，中芯国际先进制程的晶圆良率也预计将从2026年的23% 提升至2030 年的50%，并在2035 年进一步达到75%。

高盛指出，虽然中芯国际曾在2023 年突破美国先进设备的出口管制，成功为华为智能手机生产7nm级芯片，但其制程水准与全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）相比仍有一定差距，台积电在7nm制程的良率已超过90%。

高盛另外还将中国半导体产业2030 年的资本支出预测提高至820 亿美元，该预测数据相比一年前的预测值大幅调升了79%，主要原因在于生成式AI 带来的强劲需求以及中国半导体国产化进程的全面推进。

在整体产量上，中国大陆半导体的生产自给率已由2010 年1 月的38%，显著成长至2026 年6 月的约70%。然而，如果以金额为基础计算，自给率依然偏低，这说明中国大陆虽然在成熟制程与通用半导体的产量上实现了快速扩张，但在先进制程及高附加价值产品上，依然高度依赖海外市场。

在晶圆制造设备市场方面，中国大陆本土设备商的营收占比将从2026 年的31% 成长至2028 年的38%。然而，光刻机仍是中国半导体自主化道路上的最大痛点。目前，中国在深紫外线（DUV）光刻机上仍高度依赖荷兰ASML，而用于更先进制程的极紫外线（EUV）曝光机，则因美国的出口管制而难以获取，这类设备限制将成为缩短与国际先进制程良率和技术差距的最大阻碍。

在存储芯片领域，中国最大DRAM厂商长鑫储存（CXMT）的产能扩张动向被视为市场重要变数。根据预估，长鑫储存的月产能将从2026 年的约27 万片晶圆，扩大至2028 年的44.7 万片，并于2030 年达到66.5 万片。而该厂商预估将在2028 年满足中国约50% 的DRAM 需求以及40% 的高带宽内存（HBM）需求。

目前，长鑫储存在合肥设有两座、北京设有一座12 吋DRAM 晶圆厂，每座工厂的月产能估计约为10 万片。若未来位于上海、合肥及北京的新建生产设施全面投入运作，长鑫储存的总产能将可比目前攀升一倍以上。不过，长鑫储存与三星电子、SK 海力士等全球一线DRAM 厂的技术差距在短期内预料仍将持续。

由于在先进DRAM 以及HBM 技术上依然落后，且同样受到EUV 等先进设备引进限制的制约，长鑫存储技术落后局面难以在短时间内扭转。因此，高盛评估中国市场在先进DRAM方面仍将维持对全球龙头厂商的依赖，三星电子与SK 海力士在中国市场的业务空间依然稳固。