EDA与制造相关文章 三星半导体业务三季度获利环比大跌40% 三星半导体业务三季度获利环比大跌40%！ 发表于：2024/11/1 AI技术赋能EDA平台促IC设计“提质增效” 日前，西门子EDA年度技术峰会“Siemens EDA Forum 2024”在上海成功举办，西门子EDA Silicon Systems首席执行官 Mike Ellow亲临现场，发表了题为“激发想象力——综合系统设计的新时代”的主旨演讲，阐述了西门子EDA如何应用AI技术不断推动产品优化，让IC设计“提质增效”。 发表于：2024/10/31 三大内存原厂将于20层堆叠HBM5全面应用混合键合工艺 三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺 发表于：2024/10/31 消息称三星电子2025年初引进其首台ASML High NA EUV光刻机 10 月 30 日消息，韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星电子已决定 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机，正式同英特尔、台积电展开下代光刻技术商业化研发竞争。 三星电子此前同比利时微电子研究中心 imec 合作，在后者与 ASML 联手建立的 High NA EUV 光刻实验室进行了对 High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 机台将加速三星的研发进程。 发表于：2024/10/31 传OpenAI携手博通及台积电打造自研AI芯片 10月30日消息，据路透社独家引述未具名消息人士报导称，人工智能（AI）技术大厂OpenAI野心勃勃的晶圆代工厂建设计划已经暂时搁置，目前正与博通（Broadcom）和台积电合作打造自研AI芯片，以支持自研AI大模型。此外，OpenAI还在采购英伟达（NVIDIA ）、AMD芯片，以满足其高涨的基础设施建设需求。 发表于：2024/10/31 传台积电已取消对英特尔的6折优惠 10月30日消息，据路透社29日引述未具名消息人士报导称，原本在数年前台积电与英特尔之间的关系良好，当时英特尔将部分芯片交由台积电代工，台积电向英特尔提供了高达6折的折扣。但是，随着英特尔CEO帕特·基辛格上任后推出“IDM 2.0”战略，开始发展晶圆代工业务，这也使得台积电取消了对英特尔的折扣优惠。 报道称，基辛格近年来忙于恢复英特尔的制造能力，却疏于维护与台积电的关系。甚至是在2021年5月，基辛格还公开表示：“你不会想把所有鸡蛋全放在台湾晶圆厂这个篮子里”。同年12月，他在鼓吹政府投资美国芯片制造商时，还表示“台湾不是一个稳定之处”。 发表于：2024/10/31 世芯电子宣布成功流片2nm测试芯片 10月30日消息，近日，高性能 ASIC 设计服务厂商世芯电子（Alchip）发布新闻稿称，它已经成功流片了一款 2nm 测试芯片，预计明年第一季度将公布结果。目前，世芯正在与客户积极合作开发高性能 2nm ASIC。 发表于：2024/10/31 西门子接近达成收购工程软件制造商Altair 西门子接近达成收购工程软件制造商Altair 发表于：2024/10/31 三星前员工涉嫌向韩国泄露国产内存秘密被中国警方逮捕 据多家媒体报道，韩国驻华大使馆于10月28日表示，一名50岁韩国男子A某因涉嫌“向韩国泄露中国半导体信息”，被以“间谍罪”于去年12月被中国警方拘留。 这是自去年 7 月中国修订的《反间谍法》生效以来，第一起根据该法逮捕韩国人的案件。 报道称，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体公司工作，与妻子和两个女儿一起生活。 A某曾就职于三星电子半导体部门担任离子注入技术员二十余年，2016年开始移居中国，加入了中国最大的DRAM内存芯片制造商CXMT，当时该公司首次招募了10 名韩国半导体专业人员。随后他在离开长鑫存储后，又相继在另外两家中国半导体公司任职。 发表于：2024/10/31 德州仪器扩大氮化镓（GaN）半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍 中国北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州仪器 （TI）（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 （GaN） 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。 发表于：2024/10/31 英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆， 突破技术极限并提高能效 【2024年10月29日, 德国慕尼黑讯】继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。 发表于：2024/10/30 消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。 发表于：2024/10/30 英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆 10月29日消息，据英飞凌官方消息，近日，英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，该直径为300mm的晶圆的厚度仅为20μm，仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。英飞凌表示，这是其继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。 发表于：2024/10/30 商务部回应欧盟对华电动汽车反补贴调查终裁 10 月 30 日消息，从商务部官网获悉，商务部新闻发言人就欧盟公布对华电动汽车反补贴调查终裁结果答记者问。 发表于：2024/10/30 消息称台积电拟收购更多群创工厂扩产先进封装 据报道，半导体设备公司的消息人士透露，今年8月收购了群创在南科的5.5代LCD面板厂的台积电，打算在其已收购的工厂附近收购更多的群创工厂。 发表于：2024/10/30 <…118119120121122123124125126127…>
