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传三星12层堆叠HBM3E已通过英伟达认证
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三星时隔多年要复活Z-NAND
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三星DDR4停产时间延后至2026年底
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SK海力士全球最大存储芯片厂商地位更加稳固
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三星计划大幅降低HBM3e价格以吸引英伟达
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美国对欧盟生产的半导体设备免征15%关税
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特斯拉借三星合作低成本介入晶圆代工市场
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消息称三星电子重新考虑在美国得州泰勒建设先进封装产线
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消息称三星计划为Exynos 2600处理器率先导入HPB技术
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LG显示首次向三星转让LCD显示专利
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三星拿到高通最强Soc首发权
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三星与特斯拉达成165亿美元芯片供应协议
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全球首款2nm芯片测试成绩出炉
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三大巨头停产引发抢货潮 国产存储紧急重启DDR4产线
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传高通并未放弃双代工策略
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目标良率70% 三星全力备战2nm GAA工艺
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消息称三星将在本月向AMD与英伟达等提供HBM4样品
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传三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量产
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美国ITC裁决三星胜诉 京东方OLED遭遇禁售风险
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Intel 18A工艺良率已超越三星2nm
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销路不佳 三星HBM3E内存产量砍半
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三星承认尖端制程竞争力不足
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