EDA与制造相关文章 欧盟《芯片法案》所设2030年微芯片市占翻倍目标难以实现 4 月 29 日消息，欧洲审计院 ECA 当地时间昨日表示，根据其最新报告，欧盟在 2022 年版《芯片法案》中设定的到 2030 年将欧盟在全球微芯片市场中的份额提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的约两倍）的目标难以实现。 发表于：2025/4/29 IBM宣布5年1500亿美元投资推动量子计算机等美国制造 4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未来五年将在美国投资 1500 亿美元（注：现汇率约合 1.09 万亿元人民币），助力经济增长，并进一步巩固其在全球计算领域的领导地位。此次投资中，超过 300 亿美元（现汇率约合 2187.07 亿元人民币）将用于研发，推动大型主机和量子计算机在美国本土的持续制造。 发表于：2025/4/29 除和硕外的全部台系电子代工厂启动美国制造 4月29日消息，据台媒《经济日报》报道，电子代工大厂英业达也宣布加入了“美国制造”行列。而在此之前，鸿海、广达、纬创、纬颖、仁宝等台系电子代工大厂均已投入“美国制造”，随着英业达也宣布在德克萨斯州建厂，台系主要电子代工厂当中，仅剩和硕未有宣布在美国布局。 4月28日，英业达董事会批准，拟斥资上限8,500万美元，在美国德克萨斯州设立服务器制造基地。此举有望降低特朗普政府关税战干扰，助力后续营运。 发表于：2025/4/29 三星计划三年内量产V-DRAM 4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。 发表于：2025/4/29 中国台湾出台新规：限制台积电最先进工艺技术出口！ 4月28日消息，据台媒《经济日报》报道，中国台湾计划加强对先进工艺技术出口和半导体对外投资的控制。新的产创条例第22条已经获得了正式通过，针对台积电赴美投资将执行“N-1”技术限制，基本上禁止台积电出口其最新的生产节点，并对违规行为进行处罚。不过，该新规的具体实施日期尚未公布。 发表于：2025/4/29 联电称与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术明年通过验证 近日，晶圆代工大厂联电2024年度营运报告书出炉。其中提到，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。联电还披露了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。 发表于：2025/4/28 SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4 4月28日消息，据wccftech报道，继今年3月宣布全球首次向客户提供12层堆叠HBM4样品之后，SK海力士在近日的台积电北美技术论坛又首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案。 据SK海力士介绍，其此次展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK 海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。 发表于：2025/4/28 TechInsights：中美关税战将致2026年全球半导体市场萎缩34% 当地时间4月26日，半导体市场研究机构 TechInsights 发表它对目前美国和中国之间持续存在的“关税战争”对于半导体产业的负面影响的看法。 发表于：2025/4/28 佳能下调2025年光刻机销量至289台 4月24日日本股市盘后，相机及光刻机大厂佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）财报的同时，下修了2025年度的整体业绩预期。 佳能一季度合并营收较去年同期增长7.1%至10584亿日元，合并营业利润同比增长20.5%至965亿日元，合并净利润同比增长20.5%至722亿日元。 发表于：2025/4/28 中汽研发布《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》 4 月 28 日消息，中汽中心新能源检验中心上周发布了《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》（下称《报告》）。 新能源汽车以“三电”系统为核心，相比传统燃油汽车，存在更多电安全方面的新问题新挑战。《报告》指出，新能源汽车行业竞争加剧，部分新技术没有得到充分验证就量产上车，为行业发展留下了潜在安全风险隐患。 《报告》中还分析了我国新能源汽车发展现状、技术发展趋势，介绍了包括“充电、电磁、功能、高压、电池、消防”六个维度的 NESTA 电安全技术验证体系。 发表于：2025/4/28 台积电升级CoWoS封装技术 目标1000W功耗巨型芯片 4月25日消息，如今的高端计算芯片越来越庞大，台积电也在想尽办法应对，如今正在深入推进CoWoS封装技术，号称可以打造面积接近8000平方毫米、功耗1000W级别的巨型芯片，而性能可比标准处理器高出足足40倍。 目前，台积电CoWoS封装芯片的中介层面积最大可以做到2831平方毫米，是台积电光罩尺寸极限的大约3.3倍——EUV极紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，台积电用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是这种封装，将大型计算模块和多个HBM内存芯片整合在一起。 发表于：2025/4/27 台积电公布N2 2nm缺陷率 4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。 台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。 发表于：2025/4/27 台积电A14第二代GAA工艺解读 A14 工艺：技术亮点深度剖析1、晶体管技术升级：从 FinFET 到 GAAFET 发表于：2025/4/27 传Intel 18A制程将获英伟达博通等厂商订单 4月25日消息，据外媒wccftech报道，英特尔即将量产的最尖端制程工艺Intel 18A在获得内部产品采用的同时，也将获得包括英伟达(Nvidia)、博通(Broadcom)在内的几家ASIC厂商的代工订单。 发表于：2025/4/25 三星将逐步停产HBM2E 转向HBM3E和HBM4 DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4 发表于：2025/4/25 <…72737475767778798081…>
