EDA与制造相关文章 海南商业航天发射场目标 5 月底建成二号发射工位 我国首个开工建设的商业航天发射场 —— 海南国际商业航天发射中心目前正在建设中,一号发射工位已于去年底竣工,目前正在建设二号发射工位。 海南国际商业航天发射有限公司(海南商发)今日发布消息,锚定 2024 年建设目标,部署春节长假内展开的施工计划。 海南商发官方透露,海南国际商业航天发射中心将在 2 月底前完成加注供气系统调试,5 月底建成二号发射工位,9 月底完成三平厂房及其附属设施建设。 发表于:2024/2/11 工信部:2023 年我国电子信息制造业生产恢复向好 工信部:2023 年我国电子信息制造业生产恢复向好 发表于:2024/2/11 高塔半导体拟在印度投资 80 亿美元建芯片厂 高塔半导体拟在印度投资 80 亿美元建芯片厂 发表于:2024/2/11 台积电增资日本:将投资52亿美元建设第二座晶圆厂 台积电日前宣布在日本熊本建设第二座晶圆厂,核准以不超过52.62亿美元的额度增资日本先进半导体制造公司(JASM)。 发表于:2024/2/11 中芯国际披露手机创新急单:暗指华为麒麟9000S 中芯国际联席CEO赵海军在业绩说明会上表示,2023年第三季度,智能手机等移动设备产业链更新换代,一些有创新的产品公司得到了机会,启动急单,开始企稳回升。 赵海军并未明确提及是哪家公司、哪款产品,但大家都知道,去年第三季度,华为没有任何征兆地发布了划时代的Mate 60系列,配备麒麟9000S处理器…… 背后的故事,就不用多说了。 发表于:2024/2/8 SK 海力士与台积电建立AI芯片联盟 SK 海力士与台积电建立 AI 芯片联盟 合作开发 HBM4 发表于:2024/2/8 Intel 18A工艺拿下大单:代工64核心Arm处理器 芯片设计企业Faraday Technology宣布计划开发全球首款基于Arm Neoverse架构的64核心处理器,预计2025年上半年完成,并采用Intel 18A工艺制造。 发表于:2024/2/6 韩国半导体产品今年出口额预计低于1000亿美元 在价格上涨、人工智能领域需求增加、主要厂商新推出智能手机大量出货的推动下,全球半导体市场的状况近几个月在好转,韩国半导体产品的出口额在 11 月份也时隔 15 个月再次同比上涨。 发表于:2024/2/6 vivo与诺基亚签署5G专利交叉许可协议 2 月 5 日消息,今日,vivo 宣布与诺基亚达成全球专利交叉许可协议,该协议涵盖双方在 5G 和其他蜂窝通信技术方面的标准必要专利。 诺基亚在声明中指出,“该协议解决了双方在所有司法管辖区的所有待处理专利诉讼。根据双方商定的协议,协议条款仍将保密”。 发表于:2024/2/6 2nm半导体大战打响!三星2nm时间表公布 据媒体报道,三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造,并且在2047年之前,三星将在韩国投资500万亿韩元,建立一个巨型半导体工厂,将进行2nm制造。 据悉,2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破,它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作为三星最大的竞争对手,台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节,台积电的2nm芯片将采用N2平台,引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。 发表于:2024/2/5 3nm争夺战:传三星良率0% 台积电却已大赚211亿 据韩媒报道,三星 3nm 工艺存在重大问题,试产芯片均存在缺陷,良品率 0%。报道还指出,由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。 当三星的 3nm 工艺还被困于良率难自解时,台积电的 3nm 工艺已经可以养家了。台积电方面表示,2023 年第四季度的营收得益于 3nm 工艺产量的持续强劲增长。 在 3nm 先进制程工艺上,三星暂时做不到遥遥领先。 发表于:2024/2/5 华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利 华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利 发表于:2024/2/5 苹果已完成70万公里自动驾驶汽车测试 苹果的神秘汽车项目已经悄悄进行了六年,外界对其进展几乎一无所知。不过,最近苹果向加州一家机构提交的记录揭示了自动驾驶项目的最新动态。 数据显示, 2023年,苹果在公共道路上的自动驾驶测试里程约72万公里,几乎较2022年增加了三倍,比2021年更是增加了30多倍。 发表于:2024/2/5 ASML:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择 ASML 首席财务官 Roger Dassen 近日接受了荷兰当地媒体 Bits&Chips 的采访。在采访中,Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑,表示 High-NA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。 发表于:2024/2/4 1c纳米内存竞争:三星计划增加EUV使用,美光将引入钼、钌材料 根据韩媒 The Elec 的报道,DRAM 内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代,也就是 1c nm 工艺引入更多新技术。 IT 之家注:1c nm 世代即第六个 10+ nm 世代,美光也称之为 1 γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代,三星称其 1b nm 为 12nm 级工艺。 分析机构 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在近日的一场研讨会上表示,美光将在 1c nm 节点率先引入钼(Mo,读音 m ù)和钌(Ru,读音 li ǎ o)。这两种金属将作为布线材料,被用于内存的字线和位线中。 钼和钌的电阻相较于现在应用的钨(W)更低,可进一步压缩 DRAM 线宽。不过钌也存在自身的问题:其在工艺中会反应生成有毒的四氧化钌(RuO4),为维护工作带来新的麻烦。Choi Jeong-dong 认为,三星和 SK 海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。 发表于:2024/2/4 «…567891011121314…»