EDA与制造相关文章 Yole报告指出2029年每车半导体含量将增至1000美元 汽车半导体市场规模将增至970亿美元，电气化和ADAS推动增长。OEM进军半导体市场，中国厂商兴趣浓厚。800V架构流行，SiC器件适用。ADAS采用加速，SDV代表汽车设计范式转变。 发表于：11/22/2024 消息称三星电子将扩大苏州先进封装工厂产能 11 月 21 日消息，据 Business Korea 周二报道，行业消息称三星电子正在扩大国内外投资，以强化其先进半导体封装业务。封装技术决定了半导体芯片如何适配目标设备，而对于 HBM4 等下一代高带宽存储（HBM）产品，内部封装工艺的重要性正在上升。为此，三星正集中力量提升封装能力，以保持技术领先并缩小与 SK Hynix 的差距。 发表于：11/22/2024 福特汽车宣布将在欧洲裁员4000人 福特汽车宣布将在欧洲裁员4000人 发表于：11/22/2024 传NAND Flash大厂铠侠将于12月中旬上市 11月21日消息，据日经新闻、路透社等外媒报道，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）预计将在今年12月中旬在日本IPO上市，市值预估为7,500亿日元，将远低于原先设定的1.5万亿日元目标。 发表于：11/22/2024 意法半导体宣布40nm MCU交由华虹代工 11月21日消息，欧洲芯片大厂意法半导体（STMicroelectronics）于当地时间周三在法国巴黎举办投资者日活动，宣布了将与中国第二大晶圆代工厂合作，在中国生产40nm节点的微控制器（MCU），以支持其中长期的营收目标的实现。 发表于：11/21/2024 TrendForce预计2025年DRAM价格将下跌 据TrendForce研报显示，第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。 发表于：11/21/2024 SK海力士宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特，与 TB 太字节不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。 据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。 发表于：11/21/2024 中国工业机器人密度已超越德国和日本 11 月 20 日消息，国际机器人联合会（IFR）周三发布的年度报告显示，中国在工业机器人使用方面已超越德国。 发表于：11/21/2024 2025年台积电将新建10座工厂以应对AI半导体需求 11月20日消息，全球晶圆代工巨头台积电（TSMC）正在着力扩大其先进封装产能，以应对人工智能（AI）半导体的旺盛需求。 据媒体报道，台积电计划明年在全球范围内新建10家工厂。新投资将重点放在2纳米、CoWoS等先进工艺技术上。台积电明年的资本支出（CAPEX）预计将达到340亿至380亿美元。这不仅超过了市场预测的320亿至 360 亿美元，而且有可能刷新公司历史上的最高资本支出记录——2022年的362.9亿美元。 发表于：11/21/2024 美国芯片法案敲定向格罗方德提供15亿美元补贴 美国拜登政府已敲定针对格罗方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激励措施，向该芯片制造商提供15亿美元补贴，以支持美国工厂，这是更广泛的半导体推动措施的一部分。 发表于：11/21/2024 TrendForce研报预计2025年DRAM 价格将下跌 TrendForce：需求展望疲弱、库存和供给上升，预计 2025 年 DRAM 价格将下跌 发表于：11/18/2024 全球第二大GPU生产商PC Partner总部迁离中国 全球第二大GPU生产商PC Partner总部迁离中国！新加坡上市、印尼生产 发表于：11/17/2024 美国芯片法案最大一笔补助 台积电66亿美元补助到手 美国《芯片法》最大一笔补助，台积电 66 亿美元补助到手 发表于：11/17/2024 日本首台ASML EUV光刻机下月进驻Rapidus晶圆厂 11 月 15 日消息，《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道称，日本先进半导体代工企业 Rapidus 购入的第一台 ASML EUV 光刻机将于 2024 年 12 月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台 EUV 光刻设备。 发表于：11/15/2024 消息称内存原厂考虑HBM4采用无助焊剂键合 11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。 SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E，而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是 HBM4 16Hi 的主流键合技术。 更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制内。 发表于：11/15/2024 «…919293949596979899100…»
