EDA与制造相关文章 2025年晶圆代工走势前瞻 晶圆代工持续看涨，2025走势前瞻 发表于：12/17/2024 德国批准台积电德国晶圆厂项目融资 德国经济部宣布，由德国政府、台积电、博世、英飞凌、恩智浦共同出资的ESMC德累斯顿晶圆厂项目融资正式获批启动。德国经济部已同四家企业就该项目签署了合同协议。 发表于：12/17/2024 台积电首座日本晶圆厂即将于今年底前开始大规模生产 12 月 14 日消息，台积电的日本子公司日本先进半导体制造公司总裁堀田祐一对日经新闻表示，台积电位于熊本县的第一家日本工厂即将于今年底前开始大规模生产。 他还表示，台积电计划于 2027 年在熊本投产第二家工厂。“我们目前正在准备地块，建设将于 1 月至 3 月季度开始。” 发表于：12/16/2024 博世获2.25亿美元芯片法案补贴 博世获2.25亿美元芯片法案补贴，以支持其加州碳化硅工厂扩建 发表于：12/16/2024 OKI推出全新PCB设计方案 12月16日消息，日本冲电气工业株式会社（OKI Circuit Technology）近日宣布推出一种新的印刷电路板 （PCB） 设计，可将组件散热性能提高 55 倍。这种特殊的创新，即在 PCB 上装满了阶梯状的圆形或矩形“铜币”，可以进入即使是最好的风冷散热器也难以拿下的市场，例如微型设备或外太空应用。 发表于：12/16/2024 IDC发布2025年全球半导体市场八大趋势预测 2025年半导体市场将实现15%增长。 根据国际数据公司（IDC）“全球半导体供应链追踪情报” 的最新研究表明，鉴于 2025 年全球人工智能（AI）与高性能运算（HPC）需求不断攀升，从云端数据中心、终端设备到特定产业领域，各个主要应用市场都面临着规格升级的趋势，半导体产业将再次迎来全新的繁荣景象。 IDC 资深研究经理曾冠玮表示：“在人工智能持续推动高阶逻辑制程芯片需求，以及高价高带宽内存（HBM）渗透率提升的推动下，预计 2025 年整个半导体市场的规模将增长超过 15%。半导体供应链涵盖设计、制造、封装测试、先进封装等产业，通过上下游之间的横向与纵向合作，将会共同创造新一轮的增长机遇。” 发表于：12/16/2024 台积电首次公开2nm工艺的关键技术细节和性能指标 12月15日消息，IEDM 2024大会上，台积电首次披露了N2 2nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。 发表于：12/16/2024 Rapidus与Synopsys和Cadence签署2nm合作协议 12月12日消息，日本晶圆代工大厂Rapidus近日宣布，其已与EDA大厂Synopsys 和 Cadence Design Systems 签署了合作协议，后者将为其 2nm 代工业务提供EDA设计工具，并获取 AI 制造数据。Synopsys将有权访问Rapdius的人工智能工具制造数据，而Cadence将提供针对背面电源传输进行优化的内存和接口IP。 发表于：12/13/2024 台积电美国厂制造成本比中国台湾高出30% 12月13日消息，晶圆代工大厂台积电亚利桑那州晶圆厂一期工程即将于2025年初量产4nm，而根据麦格理银行的最新研究显示，台积电亚利桑那州的晶圆厂的制造成本可能将比中国台湾工厂高出30%。 发表于：12/13/2024 Rapidus宣布2025年4月启动2nm试产线 12 月 13 日消息，据《日本经济新闻》报道，日本先进半导体制造商 Rapidus 的会长东哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展会开幕式上致辞时表示对该企业的 2nm 试产线充满信心。 发表于：12/13/2024 消息称Synopsys拟收购Ansys后剥离资产 消息称Synopsys拟收购Ansys后剥离资产，以期欧盟批准350亿美元交易 发表于：12/13/2024 英特尔仍未确认代工厂将是否完全独立 12 月 13 日消息，据彭博社报道，在当地时间周四举行的巴克莱第 22 届全球科技大会上，英特尔的联合首席执行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言，公司在产品改进和重建客户信任方面“还有很长的路要走”。 发表于：12/13/2024 三星电子HBM3E内存性能未满足英伟达要求 12 月 11 日消息，韩媒 hankooki 当地时间昨日表示，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品性能未达英伟达要求，难以在今年内正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到 2025 年。 报道表示，三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。 发表于：12/12/2024 IBM与Rapidus展示多阈值电压GAA晶体管合作研发成果 12 月 12 日消息，据 IBM 官方当地时间 9 日博客，IBM 和日本先进芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压 GAA 晶体管研发成果，这些技术突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量产。 IBM 表示，先进制程升级至 2nm 后，晶体管的结构由使用多年的 FinFET（IT之家注：鳍式场效应晶体管）转为 GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这对制程迭代带来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。 发表于：12/12/2024 传美国将在圣诞节前推出对华AI芯片限制新规 12月11日消息，在本月初美国将140加中国半导体相关企业列入了实体清单，并升级对EDA、半导体设备、HBM限制之后，业内又传出消息称，美国商务部工业暨安全局（BIS）将会在今年圣诞节之前，发布新的人工智能（AI）管制规则，有可能将进一步限制AI芯片的对华出口。 消息称，美国BIS目前已将相关限制规则的内容提交给了相关机构审查，按照之前的经验，审查时间大约耗时一周，所以预计公布的时间可能将会在下周，也就是在圣诞节之前。该限制规则可能与此前台积电对中国大陆AI芯片企业暂停7nm及以下先进制程代工服务有关。 根据之前的爆料显示，中国厂商设计的芯片如果die size大于300mm²、晶体管数量大于300亿颗、使用先进封装和HBM，主要用于AI训练，台积电等有采用美国技术的海外晶圆代工厂都将禁止提供代工服务。 发表于：12/12/2024 «…919293949596979899100…»
