EDA与制造相关文章 嘉立创SMT如何提高一站式PCBA交付的确定性 嘉立创SMT如何提高一站式PCBA交付的确定性 发表于：2026/7/13 化合物半导体专利战再起 Wolfspeed在美提告Navitas 7 月 9 日消息，美国化合物半导体企业 Wolfspeed 当地时间 7 日宣布在特拉华州联邦地区法院对同领域业者 Navitas（纳微）提起专利侵权诉讼。 发表于：2026/7/10 美光宣布加快美国晶圆厂投资 7 月 9 日消息，美光科技（Micron Technology）今日宣布，为满足 AI 时代快速增长的存储需求，公司将加快美国晶圆厂及技术投资计划，并预计到 2035 年，相关支出将增至 2500 亿美元（注：现汇率约合 1.7 万亿元人民币）以上。 发表于：2026/7/10 美商务部长施压三星SK海力士扩大在美内存芯片生产 美商务部长施压三星SK海力士扩大在美内存芯片生产 缓解全球短缺 发表于：2026/7/10 日本Rapidus2nm晶圆定价对标台积电 7月9日消息，日本晶圆代工初创公司Rapidus计划为其2纳米芯片制定与台积电相当甚至略低的价格，该公司展现出对自身技术的自信，但也引发外界对其是否高估自身的质疑。 发表于：2026/7/10 国产GPU四小龙又一员冲刺上市 燧原科技IPO注册获批 7月10日消息，日前，证监会发布公告，同意上海燧原科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。 发表于：2026/7/10 中国科学院造出高性能p型二维半导体单晶晶圆 7月9日消息，中国科学院金属研究所团队取得芯片材料领域重要突破，成功制备出大面积高性能MoSi2N4单层单晶晶圆，相关成果已经刊发在《自然·材料》期刊。 发表于：2026/7/10 国内首条二维半导体示范工艺线贯通 7月10日消息，据媒体报道，7月9日，原集微二维半导体工程化示范工艺线全线贯通仪式在上海浦东新区川沙新镇举行。 发表于：2026/7/10 传苹果已放弃平价版Vision Pro 7月9日消息，据韩国媒体The Elec援引面板产业人士的消息报道称，苹果公司正调整XR产品策略，并取消原本规划的平价版XR设备（平价版Vision Pro）的上市计划，转而将资源投入AI智能眼镜，导致三星显示器（Samsung Display）提前终止相关显示器开发案。 发表于：2026/7/10 SMT贴片的核心不是速度，而是资料、工艺与检测的一致性 从制造角度看，SMT贴片并不是把元件高速贴完就结束，而是要让设计文件、物料规格、贴装程序、焊接工艺和检测标准保持一致。只要其中一个环节出现偏差，最终问题就可能表现为极性错误、少锡、桥连、虚焊、BGA隐藏焊点异常或功能测试失败。 发表于：2026/7/10 长鑫优先供应中国安卓手机内存 占比很快达50% 7月9日消息，苹果若敲定搭载长鑫存储的内存产品，核心诉求大概率并非大规模替换现有核心供应链，而是将其作为谈判筹码倒逼三星等国际存储巨头下调内存供货价，压缩自身硬件采购成本。即便苹果后续有意导入长鑫内存，短时间内也难以顺利拿到供货，需跨过两道现实门槛：一是相关供货规则需征得美国监管部门同意，二是长鑫当前产能优先向国内本土品牌订单倾斜，暂无多余产能供给海外厂商。2025年第二季度到2026年第一季度，长鑫科技在全球DRAM市场的占比从3.97%升至8%，全产品线布局已完成，实现DRAM全链路自主可控，不含华为的安卓品牌手机阵营中长鑫内存采用比例已突破30%，其量产的LPDDR5X产品规格已追平国际主流厂商同档位产品。 发表于：2026/7/9 中国是ASML第一大市场 荷兰大臣访华力保DUV光刻机出口 7月8日消息，公开资料显示，荷兰光刻机巨头ASML 2025年全年净销售额达327亿欧元，中国市场贡献33%营收稳居全球首位。 发表于：2026/7/9 谷歌Tensor G6全球首发台积电2nm工艺制程 7月8日，谷歌宣布将于8月12日正式发布年度旗舰Pixel 11系列，该机将首发搭载自研芯片Tensor G6，谷歌也将成为全球首家发布台积电2nm工艺芯片的手机厂商，较苹果、高通和联发科早约一个月。Tensor G6首发台积电第一代2nm制程N2，该工艺是台积电首个采用全环绕栅极纳米片晶体管的技术，相较N3E工艺在性能、功耗控制、晶体管密度方面均有提升。目前台积电2nm晶圆每片报价接近3万美元，相比3nm工艺上涨约50%至66%，叠加内存价格持续攀升，受双重成本冲击，Pixel 11系列价格预计将上涨，业界预测下半年直板旗舰手机定价很可能突破万元大关，相关成本压力将传导至消费者端。 发表于：2026/7/9 台积电扩产光子集成电路 2028年月产能将达2.5万片晶圆 7月8日消息，据TrendForce，随着台积电在硅光子领域加速布局，其光子集成电路（PIC）晶圆产能预计将迎来显著扩张。 发表于：2026/7/9 长鑫科技7月16日新股申购 募资295亿扩产晶圆 国内DRAM存储龙头长鑫科技将登陆科创板，据相关发行公告披露，其网上、网下申购统一安排在7月16日，公司证券代码688825，普通投资者网上申购代码为787825。本次发行总量66.88亿股，授予保荐机构最高15%超额配售选择权，全额行使后总发行量可达76.91亿股，整体募资规模295亿元，资金全部投向12英寸晶圆产线扩建、HBM高端存储芯片研发及配套产能建设。相关配套流程节点显示，7月13日开启网下初步询价，7月15日披露最终发行价格，申购完成后投资者需在7月20日收盘前完成足额缴款。长鑫科技是国内唯一实现DRAM芯片自主研发、制造一体化的IDM厂商，已完成DDR4、DDR5、LPDDR5全系列内存颗粒量产。 发表于：2026/7/9 <12345678910…>
