EDA与制造相关文章 英特尔代工服务总经理跳槽高通 当地时间2月26日，高通公司宣布任命Kevin O'Buckley为全球运营与供应链执行副总裁。在此职位上，O'Buckley将领导高通全球半导体业务，涵盖制造工程、代工厂与供应商合作、供应链及采购。他的任命自2026年3月2日起生效，并将直接向高通公司执行副总裁、首席财务官兼首席运营官Akash Palkhiwala汇报。 发表于：2026/2/27 博通出货3.5D XDSiP先进封装平台首款SoC 2 月 27 日消息，Broadcom 博通美国加州当地时间 26 日宣布，其 3.5D XDSiP 先进封装平台的首款 SoC 芯片 —— 2nm 制程的富士通 FUJITSU-MONAKA 处理器现已发货。 发表于：2026/2/27 消息称ASML新一代EUV光刻机已具备量产条件 2 月 27 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦公司（ASML）一位高管透露，该公司新一代芯片制造设备已具备厂商大规模量产使用的条件，这对芯片行业而言是重要的一步。 发表于：2026/2/27 智能手机市场恐将因存储芯片供应短缺而下滑13% 2 月 27 日消息，国际数据公司（IDC）今日发布全球 PC 和手机市场的最新预测，称当前形势甚至比几个月前最悲观的情景还要严峻。 报告显示，2025 年末，随着市场对 DRAM 与 NAND 闪存价格上涨的担忧加剧，PC 与智能手机厂商纷纷采取激进措施提前应对。正如 2025 年第四季度 PC 与手机历史出货量新闻稿所示，2025 年第四季度出货量大幅攀升。 这种高水位态势延续到了 2026 年第一季度的 PC 市场，原始设备制造商（OEM）赶在内存与存储价格全面上涨前加速出货。因此，IDC 目前预计，2026 年第一季度 PC 出货量将显著高于 11 月时的预测。 发表于：2026/2/27 惠普称内存已占电脑成本1/3以上 惠普首席财务官Karen Parkhill称，内存和存储成本占PC物料清单比例已从上季度的15%—18%升至约35%，公司被迫涨价应对；临时CEO Bruce Broussard表示正引入新供应商与低成本渠道缓解压力。三星等此前已预警AI带动内存短缺将推高价格。尽管成本飙升，AI PC需求仍旺，惠普35%的PC销量来自AI PC。 发表于：2026/2/27 闻泰科技再回应安世半导体被荷兰强夺事件 荷兰政府去年强夺闻泰科技旗下安世半导体控制权。2月11日，阿姆斯特丹企业法庭裁决维持临时措施，未恢复闻泰股东控制权，并启动调查；闻泰公告表达“极为失望与强烈不满”。2月26日，闻泰在临时股东会上表示正积极处置，安世中国区业务稳健、客户黏性高，东莞工厂产能优化设备已到位；BIT索赔需待4月15日后启动，公司将聚焦主业并用法律手段维权。 发表于：2026/2/27 Q1传统DRAM合约价将上涨90%~95% 2月26日消息，据市场研究机构TrendForce最新发布的调查报告显示，由于人工智能（AI）应用由LLM 模型训练延伸至推理，推动CSP业者的数据中心建置重心由AI数据中心延伸至传统服务器，推动内存芯片采购重心由HBM3e、LPDDR5X 及大容量RDIMM 延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动传统型DRAM 合约价大幅上涨，使得2025 年第四季DRAM 产业营收环比增长29.4%至为535.8 亿美元。 发表于：2026/2/27 铁威马D1 SSD硬盘盒 硬核防1.2吨碾压 近日，存储行业知名品牌铁威马正式推出首款三防便携式移动硬盘盒 ——D1 SSD，以 IP67 级防水防尘、1.2 吨超强防碾压、1.5 米防跌落的硬核防护实力，搭配高速传输性能，填补品牌在三防移动存储领域的空白，为户外工作者、专业创作者及普通用户，打造全方位、高可靠的移动数据存储解决方案，重新定义三防移动存储新标准。 发表于：2026/2/27 三星DRAM涨价100% 手机随机跟涨 虽然三星电子拥有强大的垂直整合能力，但由于内部各部门的独立核算，在存储芯片供应紧缺及市场价格大幅上涨的背景下，负责三星智能手机的MX（移动体验）部门并未从强势的负载三星半导体业务的DS部门那里获得较好的商务条款，使得三星MX部门不得不找找美光作为DRAM的第二供应来源。 发表于：2026/2/27 多核异构通用控制计算机模块设计与实现 提出了一种基于系统级封装（SiP）技术的高集成、小型化的多核异构通用控制计算机模块设计思路和实现方法。该模块集成多核DSP、FPGA、SDRAM、Flash等9颗大规模集成电路，采用高温共烧陶瓷管壳（HTTC），通过双面双腔布局封装设计技术，实现了复杂系统电路的小型化、通用化高密度集成。此外，针对模块中高速SerDes电路信号完整性、大功率有源器件散热困难、大规模电路电源完整性等问题，通过综合机、电、力、热等仿真及优化方法，实现了模块高密度集成过程中电路的高可靠设计，并完成了样品小批量试制和功能性能测试。经测试，产品尺寸为39 mm×39 mm×6.49 mm，重量为29 g，相比于分立器件组合的系统，体积重量可降低80%以上。常温25 ℃及高温105 ℃下，微系统模块内部DSP和FPGA功能运行稳定、存储器读写正常、高速通信速率可达5 Gb/s，各项功能和性能指标均满足设计预期。本研究为系统级封装产品的小型化、高集成、高可靠设计提供思路和方法。 发表于：2026/2/26 基于扇出型晶圆级封装的X波段异构集成T/R模组研制 基于扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片，可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出，与印制电路板通过球栅阵列实现垂直连接，模组最终体积仅为12.8 mm×10.4 mm×0.5 mm。模组经测试，结果为接收增益≥27 dB，噪声系数≤4 dB，发射增益≥26.7 dB，饱和输出功率≥24 dBm，四位数控衰减精度RMS≤1 dB，六位数控移相精度RMS≤6°，符合设计预期，在高密度树脂基封装的基础上整合了两种材质芯片的特性，实现了优异的性能。 发表于：2026/2/26 ASML发布2025年度报告 荷兰菲尔德霍芬，2026年2月25日—— 阿斯麦 (ASML) 今日发布2025年度报告（以下简称“年报”）。 发表于：2026/2/26 闪迪与SK海力士携手正式启动高带宽闪存标准化进程 2 月 26 日消息，Sandisk 闪迪与 SK 海力士昨日在闪迪美国总部联合举办“HBF 规格标准化联盟启动会”，这标志着两大存储原厂正式启动了高带宽闪存 (HBF) 的全球标准化进程。 发表于：2026/2/26 特朗普新关税依据仍存疑虑 拟用301条款加征关税 当地时间2月24日，美国政府智库“布鲁金斯研究所”（Brookings Institution）举办线上座谈会，邀请专家学者分析美国总统特朗普的对等关税政策被最高法院裁决违法后，特朗普关税及贸易政策的未来。 发表于：2026/2/26 苹果谋求引入中国存储芯片供应商 据外媒消息称，苹果正在评估引入中国存储厂商长江存储与长鑫存储，以满足存储供应的潜在风险。目前，苹果的存储供应链主要由几家巨头公司提供，DRAM内存的主要供应商是三星电子，其为iPhone 17系列提供了约60%的DRAM内存，SK海力士和美光吃下剩下的40%供货。在NAND闪存方面，则由三星、SK 海力士、铠侠主要供货。 发表于：2026/2/26 <12345678910…>
