工业自动化最新文章 5G确定性工业基站首次商用 近日，在“无线通算智融合技术标准攻关及基站研制”央企联合体、浙江中心5G-A实验室的支持下，中国移动温州分公司联手华为在温州烟草配送中心成功开通浙江省内首个5G确定性工业基站，满足客户业务场景对时延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭运输产线上完成5*24小时稳定性测试。这一创新性成果标志着5G工业应用迈出了关键一步，为工业自动化、智能化发展提供强有力的技术支撑，有望推动更多工厂向星级工厂迈进。 发表于：12/24/2024 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 二极管/三极管/场效应管完整测试方案设计及选择 发表于：12/23/2024 场效应管的重要参数介绍 场效应管（FET）的重要参数包括： 1.最大漏源电压（VDSmax）：场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 2.最大漏极电流（IDmax）：场效应管能够承受的最大漏极电流，超过此值可能会导致器件损坏。 3.最大栅源电压（VGSmax）：场效应管栅极和源极之间能够承受的最大电压。 4.阈值电压（Vth）：使场效应管开始导电的最小栅源电压。 发表于：12/23/2024 场效应管的主要类型介绍 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，它利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流。 场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。由于它仅靠极少量电流即可工作，因此非常适用于功率电路中作放大用；此外，这种电子元件还有较高的输入阻抗和输出电阻，因而也适用于信号处理、高频振荡和调制等电路中作输入级或输出级。 发表于：12/23/2024 三极管的重要参数介绍 三极管（晶体管）是电子电路中常用的半导体器件，它有多种类型，如双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。不同类型的三极管有不同的参数，但以下是一些重要的通用参数： 发表于：12/23/2024 三极管的主要类型介绍 半导体三极管，也被称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件 它的主要功能是将微弱的电信号放大成幅度值较大的电信号，同时也被用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 发表于：12/23/2024 二极管的重要参数介绍 二极管的重要参数包括额定峰值反向电压（VR）、额定直流正向电流（IF）、最大导通电流（IFM）、静态电阻（RS）、正向压降（VF）、动态电阻（rd）、反向漏电流（IR）、反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和热阻（Rth）等。 发表于：12/23/2024 二极管的主要类型介绍 二极管是一种具有两个电极的电子器件，其主要功能是允许电流在一个方向上通过，而在另一个方向上则阻止电流通过，这种特性被称为单向导电性。 具体来说，二极管由两个主要部分构成：一个是P型半导体，另一个是N型半导体，它们的交界处形成PN结。 发表于：12/23/2024 北电数智构建首个国产算力PoC平台 助力国产算力场景化应用 近日，2024中国企业家博鳌论坛-2024数字科技创新发展大会盛大举行，共话AI行业发展。北京电⼦数智科技有限责任公司（以下简称“北电数智”）董事长荆磊发表《打造“AI工厂”，建设数字中国》主题演讲，梳理了当前我国AI行业发展所面临的挑战，并分享北电数智的解题思路和实践路径。 发表于：12/23/2024 英特尔股东起诉前CEO基辛格 12月20日消息，据The Register 报道，英特尔股东 LR Trust 已对英特尔高管提起诉讼，指控英特尔前首席执行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger） 和英特尔临时联合首席执行官兼首席财务官大卫·津斯纳 （David Zinsner） 管理不善、误导性披露，并要求将他们获得的赔偿金和其他收益退还给公司。在列出的要求中，该股东要求基辛格退还其在 2021 年、2022 年和 2023 年任职期间赚取的 2.07 亿美元工资的全部款项。 发表于：12/23/2024 2023年中国厂商占据了全球SiC专利申请量的70% 近日，法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅（SiC）的知识产权 （IP） 报告，全面介绍了全球最近的碳化硅专利申请活动。在该报告中，KnowMade重点介绍了整个碳化硅供应链中最新的专利动态，并重点介绍了SiC行业内一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的专利动态。 发表于：12/23/2024 晶华微宣布2亿元收购芯邦智芯微100%股权 晶华微宣布2亿元收购智芯微100%股权，承诺未来三年净利不低于4000万元 发表于：12/23/2024 美光公布其HBM4和HBM4E项目最新进展 12 月 22 日消息，据外媒 Wccftech 今日报道，美光发布了其 HBM4 和 HBM4E 项目的最新进展。 具体来看，下一代 HBM4 内存采用 2048 位接口，计划在 2026 年开始大规模生产，而 HBM4E 将会在后续几年推出。 HBM4E 不仅会提供比 HBM4 更高的数据传输速度，还可根据需求定制基础芯片，这一变化有望推动整个行业的发展。 发表于：12/23/2024 NVIDIA有望采用日本Rapidus 2nm工艺 12月22日消息，日本半导体代工企业Rapidus日前宣布，已接收到从ASML采购的先进EUV光刻机并开始安装，这也是日本首家拥有EUV光刻机的公司。 Rapidus计划2025年春季完成2nm芯片原型开发，并在2027年实现量产，相比之下台积电则计划2025年开始量产2nm芯片。 至于Rapidus目前的2nm客户，Rapidus CEO小池淳义先前透露，正在与40家客户洽谈，预计明年以后才能对外公布。 NVIDIA CEO在上个月13日暗示，未来可能考虑委托Rapidus代工生产AI芯片，他强调供应链多元化的重要性，并对Rapidus的能力有信心。 Rapidus CEO小池淳义还表示，尽管台积电在2纳米芯片的量产时程上领先，但Rapidus有信心在制程进度上具有优势，并能快速提升良率和效能，追赶上台积电。 Rapidus于2022年8月成立，被视为日本的“半导体国家队”，是由日本政府以及索尼、丰田、铠侠、NTT、软银、NEC、电装与三菱日联银行等8家日本企业共同出资组成。 发表于：12/23/2024 国产DDR5内存首次拆解 12月23日消息，近日，金百达、光威几乎同时发布了基于国产颗粒的DDR5内存，但都没有明确说来自谁，虽然大家都能猜得八九不离十。 网友“WittmanARC”第一时间入手了金百达的新内存，第一时间拆开看了看。 发表于：12/23/2024 «…891011121314151617…»
