消费电子最新文章 长鑫科技：第五代工艺技术平台处于研发阶段 长鑫科技：第五代工艺技术平台处于研发阶段，采用进一步优化的多重曝光技术 发表于：2026/7/16 三星电子遭遇人力荒 拟将部分芯片后端设计外包 7月15日消息，三星电子正在考虑将Google 2纳米TPU的I/O Die后端设计外包，原因是三星晶圆代工订单激增，人手不足。 发表于：2026/7/16 中国科协发布2026年30个重大问题、难题 第二十八届中国科协年会主论坛7月15日在北京举行，会上发布2026重大科学问题、工程技术难题和产业技术问题，其中一项聚焦阿尔茨海默症病理演进过程中脑淋巴-脑膜淋巴循环动力学的变化及二者关联，有望解答病症发病原理、提出有效治疗手段。2023年，中国医生首创的颈深淋巴管/结—静脉吻合术已进入阿尔茨海默病实验性临床治疗，当时仅部分重度患者可接受，手术效果个体差异极大。2024年国内上百所医院通过伦理审查开展该技术的研究性质治疗，2025年7月国家卫健委发文禁止该技术用于临床治疗，称其尚处于临床研究早期探索阶段，缺乏支撑安全性、有效性的高质量循证医学证据。 发表于：2026/7/15 AI芯片散热新路径 可编程热器件亮相 7 月 15 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 14 日）发布博文，报道称大阪公立大学研究团队开发出一种可编程热器件，其非互易因子接近 0.9，能在断电后记忆配置状态，实现近乎正向入射角下的热量定向控制。 发表于：2026/7/15 国行苹果AI功能完成备案 选的是阿里千问？ 7 月 15 日消息，今日，网信中国公众号发布 7 款提供手机端侧生成式人工智能服务已备案信息的公告，其中苹果技术开发（上海）有限公司的“Apple 智能”大模型已于 2026 年 7 月 8 日备案，适用场景为苹果手机，这意味着国行版 iPhone 的 AI 功能有望加速上线。 发表于：2026/7/15 晶圆产能跟不上 美国银行报告认为内存供应无法快速缓解 虽然现在韩国在居全国之力扩大内存产量，SK海力士和三星在韩国京畿道龙仁半导体国家产业园区的新工厂也将提前一至两年投产，但韩国媒体引用美国银行分析报告称，关于内存扩产的数字整体上并不现实，尤其是在韩国的时间表内。 发表于：2026/7/15 长鑫科技确定发行价8.66元/股 7月16日启动申购 7 月 14 日消息，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技发公告称，公司首次公开发行股票并在科创板上市，发行价格为 8.66 元 / 股。 发表于：2026/7/15 传三星决定承接Anthropic自研AI芯片制造订单 7 月 14 日消息，韩媒 NewsWorks 当地时间昨日援引业内人士的话报道称，三星晶圆代工决定承接 Anthropic 自研 AI 芯片制造订单。 外媒 The Information 曾在本月初表示，Anthropic 已启动自研芯片的早期开发工作，计划应用三星晶圆代工的 2nm 先进制程与先进封装产能。不过那份报道也提到，该项目仍处于规划阶段，功能、规格、部署等都尚未确定，尚未进入详细设计步骤。 发表于：2026/7/14 4K/8K 素材存储遇瓶颈？铁威马带来破局方案 伴随4K、8K高清视频、办公文件、家庭影像等数据量持续暴涨，大众对私有存储设备的安全、速度、稳定性提出更高要求。面对行业普遍存在的传输慢、数据易丢失、协同不便等痛点，铁威马NAS用全新机型F6-425 Pro给出完整解决方案。 发表于：2026/7/14 全球首款 东方算芯3D AI芯片DF1000发布 7 月 13 日消息，据第一财经报道，东方算芯今日在上海发布了东方算芯首颗旗舰芯片 ——DF1000。 发表于：2026/7/14 阶跃发布大模型原生AI终端品牌STEPX及Step AOS 7月13日消息，阶跃星辰在上海正式发布面向智能体时代的全球首个大模型原生AI终端品牌STEPX，并同步推出全球首个智能体原生操作系统Step AOS（Step Agentic-native OS）和阶跃新一代个人智能体阶跃Amoo。 发表于：2026/7/14 英特尔18A-P工艺拿下苹果M7处理器订单 7月13日消息，在美国政府的撮合下，苹果应该是首个大规模使用Intel代工的美国芯片公司了，双方的合作成果之一就是下下代的M7处理器。 发表于：2026/7/14 传三星正研发AI PC芯片 最快2027年底量产 7月12日消息，据韩国媒体《Business Korea》报道，继智能手机处理器（AP）后，三星电子正在开发专为AI PC 而生的AI加速器“GAIA”，最快有望于2027 年底量产，锁定新一波实体AI 商机。 发表于：2026/7/13 元器件成本持续攀升 入门级手机产品减少 7月13日消息，据Omdia最新分析，存储成本持续上涨带来的财务压力正迫使智能手机厂商进一步收缩入门级产品布局，并将产品重心向利润率更高的中高端机型转移。 发表于：2026/7/13 英特尔携ZAM和XBM存储器架构重返DRAM市场 7月13日消息，英特尔正推进两种全新存储器架构对HBM形成竞争。此前英特尔宣布与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM技术，项目于2026年第一季度启动运营，预计2027年推出原型产品，2030年实现商业化，该架构弃用传统垂直硅通孔设计，宣称功耗较HBM降低40%至50%，单芯片容量最高达512GB，为现有HBM的2至3倍，量产成本仅为HBM的60%。同步推进的XBM架构采用后端晶体管DRAM堆叠设计，最高速率32GT/s，可取消HBM所需硅中介层以降低封装成本。两类技术基础源自美国能源部支持的研发项目，目前相关技术落地仍存多重考验，英特尔此举能否撼动HBM的主导地位尚待验证。 发表于：2026/7/13 <…3456789101112…>
