消费电子最新文章 谷歌Tensor G6全球首发台积电2nm工艺制程 7月8日，谷歌宣布将于8月12日正式发布年度旗舰Pixel 11系列，该机将首发搭载自研芯片Tensor G6，谷歌也将成为全球首家发布台积电2nm工艺芯片的手机厂商，较苹果、高通和联发科早约一个月。Tensor G6首发台积电第一代2nm制程N2，该工艺是台积电首个采用全环绕栅极纳米片晶体管的技术，相较N3E工艺在性能、功耗控制、晶体管密度方面均有提升。目前台积电2nm晶圆每片报价接近3万美元，相比3nm工艺上涨约50%至66%，叠加内存价格持续攀升，受双重成本冲击，Pixel 11系列价格预计将上涨，业界预测下半年直板旗舰手机定价很可能突破万元大关，相关成本压力将传导至消费者端。 发表于：2026/7/9 告别英伟达 中企AI芯片预算国产占比飙至46% 7月8日消息，彭博行业研究发布的最新调查报告显示，中国企业正加速从英伟达AI加速器转向本土产品。在对60名中国软件、金融、制造和零售业高管的调查中，受访者预计未来12个月将把46%的AI加速器预算投向国产芯片，高于目前的30%。华为、海光成最大赢家 发表于：2026/7/9 自研架构及全国产工艺 沐曦GPU一卡难求 7月8日，沐曦相关负责人表示，市场同时存在AI算力一卡难求与部分算力过剩的情况，稀缺的是通用、易用、稳定可靠的算力，其公司部分产品订单已排至明年之后。沐曦主力MXC600芯片系列目前已大规模出货，该芯片为新一代AI训练推理旗舰芯片，全链路实现国产供应链，曾于5月26日通过相关机构安全可靠测评，配套产品可满足多类关键行业安全标准。沐曦下一代旗舰C700于2025年4月立项，目前核心设计、功能验证已大部分完成，后续将大幅提升多项核心性能。 发表于：2026/7/9 长鑫科技7月16日新股申购 募资295亿扩产晶圆 国内DRAM存储龙头长鑫科技将登陆科创板，据相关发行公告披露，其网上、网下申购统一安排在7月16日，公司证券代码688825，普通投资者网上申购代码为787825。本次发行总量66.88亿股，授予保荐机构最高15%超额配售选择权，全额行使后总发行量可达76.91亿股，整体募资规模295亿元，资金全部投向12英寸晶圆产线扩建、HBM高端存储芯片研发及配套产能建设。相关配套流程节点显示，7月13日开启网下初步询价，7月15日披露最终发行价格，申购完成后投资者需在7月20日收盘前完成足额缴款。长鑫科技是国内唯一实现DRAM芯片自主研发、制造一体化的IDM厂商，已完成DDR4、DDR5、LPDDR5全系列内存颗粒量产。 发表于：2026/7/9 铠侠和Sandisk发布332层3D NAND 近日，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）与Sandisk宣布，它们的第十代产品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本岩手县北上工厂的Fab2（K2）生产线正式投产。该产品主要面向数据中心等企业级储存应用，兼顾高密度与高性能，储存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400层3D NAND。 发表于：2026/7/9 曝DeepSeek正自研AI芯片 主要面向推理任务 7月7日有海外媒体报道，DeepSeek正在开发自主AI芯片，致力于减少对英伟达等公司芯片的依赖。该自研AI芯片主要面向推理任务，而非AI模型训练，相关研发工作约一年前便已启动，目前DeepSeek已接洽外部合作伙伴，与芯片设计、代工制造及存储芯片企业开展相关讨论。针对该消息，求证DeepSeek方面暂未获得更多可披露信息，DeepSeek相关回应显示，该公司一直专注于模型算法的研究与创新，同时也在持续探索更优的工程实现方案，以降低推理成本、提升服务效率。 发表于：2026/7/8 三星已开始量产其最先进数据中心存储设备 7月8日消息，据媒体报道，三星电子已正式启动其最先进数据中心存储设备的大规模量产，这款产品将被应用于英伟达即将推出的Vera Rubin平台。 发表于：2026/7/8 德国团队首次实现轨道电流直接读写信息 7月7日，德国美茵茨大学分校（JGU）研究团队在《科学》杂志发表一项里程碑式成果，首次实现利用轨道电流直接进行信息读写，全程无需转换为自旋电流，标志着“轨道电子学”从理论走向实际应用。此前利用轨道电流进行信息存储，必须先将其转换为自旋电流，该转换过程会产生额外能量损耗。该团队成功绕过这一环节，获得的信号强度比传统自旋电子器件高出200倍，为开发极低能耗的大规模存储介质奠定基础。该成果既有望缓解当前数据存储能耗过高的痛点，也可支撑更快速可靠的数据读写，推动信息技术向更高效绿色的方向发展。 发表于：2026/7/7 苹果引入中国DRAM意在增加谈判筹码 7月6日消息，据外媒wccftech报道，美国银行（Bank of America）在最新发布的一份报告中指出，苹果公司试图从中国DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）采购DRAM的举动，可能无法“有实质性地”采用长鑫存储的DRAM。 发表于：2026/7/7 韬定律从理论走向工程落地 EDA成关键胜负手？ 7月6日信息，今日，A股EDA概念走高，截至收盘，概伦电子20cm涨停，华大九天涨超14%，广立微、安路科技跟涨。消息面上，根据中国科学院科技论文预发布平台ChinaXiv最新公示论文，华为半导体负责人何庭波于7月3日发布《面向多层级电子系统的时间缩微理论》（业内也称“韬定律”）V2版本。 发表于：2026/7/7 国内量产装车首款 比亚迪BMS AFE芯片出货破亿颗 7 月 7 日消息，@小迪快报 微博今天（7 日）发文宣布，比亚迪半导体 BMS AFE 芯片出货量突破 1 亿颗！2021 年，比亚迪 BF8915A-1 诞生，该芯片也是国内首款量产装车的车规级 BMS AFE（电池管理模拟前端）芯片。随后，该系列芯片取得国产车规级 BMS AFE 芯片出货量、装车量双第一，累计出货量突破 1 亿颗。 发表于：2026/7/7 三星和SK海力士推迟HBM混合键合技术 "7月6日消息，三星电子与SK海力士在引入面向下一代高带宽存储器的混合键合技术过程中正面临日益严峻的挑战，该技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，甚至HBM5阶段也可能暂不采用。导致该情况的原因包括JEDEC讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫，且两家均推出了替代散热方案，16层以上高堆叠HBM的需求并不紧迫，进一步延缓该技术规模化部署。业内判断，短期内混合键合不会大规模部署，中长期I/O密度进一步提升后仍是发展方向。" 发表于：2026/7/7 HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存 7月6日消息，这一轮内存大涨价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。 发表于：2026/7/7 存储价格持续暴涨 三星半导体一年利润顶过去40年总和 7月7日消息 ，在三星电子即将发布2026年第二季度初步业绩之际，公司半导体业务高层释放乐观预期，官宣今年半导体板块盈利将创下历史性纪录。 发表于：2026/7/7 iPhone 18 Pro主板设计图泄露 部分器件供应商曝光 6月下旬，苹果在印度最核心的供应商之一——塔塔电子（Tata Electronics）遭遇重大网络安全事件。勒索软件组织"World Leaks"在暗网公开发布了超过20万份、总计容量达630GB的窃取文件，其中包含苹果尚未发布的iPhone 18 Pro及iPhone 18 Pro Max的核心机密资料。经多家科技媒体初步审查，被窃文件的真实性已获确认，文件均带有苹果官方设计文档的标记，且大部分使用Siemens NX软件建立。 发表于：2026/7/7 <…567891011121314…>
